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嵌有量子点分子的AB干涉器中电子及自旋性质

摘要第1-8页
Abstract第8-13页
第1章 绪论第13-45页
   ·介观物理简述第13-14页
   ·低维半导体材料概述第14-22页
     ·量子阱—单异质结、超晶格第15-20页
     ·量子线第20-22页
   ·准零维结构的量子点第22-27页
     ·量子点的一般描述第22-24页
     ·量子点的实验制备方法第24-27页
   ·量子点中的物理效应第27-37页
     ·共振隧穿效应第27-28页
     ·库仑阻塞效应第28-32页
     ·Kondo效应第32-35页
     ·Fano效应第35-37页
   ·量子点分子结构第37-40页
     ·典型量子点分子结构输运性质第38-39页
     ·自旋阻塞效应第39-40页
   ·量子点的应用第40-42页
     ·量子点在器件中的应用第40-41页
     ·量子比特第41-42页
   ·本文拟开展的研究工作第42-45页
第2章 非平衡态格林函数方法第45-63页
   ·量子力学中的三种绘景第45-48页
     ·Schr(o丨¨)dinger绘景第45-46页
     ·相互作用绘景第46页
     ·Heisenberg绘景第46-47页
     ·描述系统状态变化的S-矩阵第47-48页
   ·平衡态格林函数的定义第48-49页
   ·非平衡态格林函数第49-60页
     ·非平衡态格林函数的定义第49-51页
     ·Langreth定理、Dyson方程与运动方程第51-53页
     ·非平衡态格林函数在介观体系电子输运中的应用第53-60页
   ·AB效应简述第60-63页
第3章 嵌有量子点分子的两终端AB干涉器中电子的退耦合态及反共振现象第63-95页
   ·研究背景第63-64页
   ·理论模型第64-67页
   ·耦合量子点体系的分子轨道表象第67-69页
   ·数值结果与分析第69-94页
     ·量子点链以两相邻量子点嵌入AB干涉器的电子输运性质第69-78页
     ·量子点链以两个端点嵌入AB干涉器的电子输运性质第78-85页
     ·量子点环嵌入AB干涉器的电子输运性质第85-93页
     ·退耦合态导致的负微分电容现象第93-94页
   ·本章小结第94-95页
第4章 复杂AB干涉器中的自旋极化输运和纯自旋流的实现第95-115页
   ·研究背景第95-96页
   ·理论模型第96-113页
     ·理论模型一:三终端的AB干涉器第96-106页
     ·理论模型二:有电极侧向耦合的双量子点AB干涉器第106-113页
   ·实验可行性第113-114页
   ·本章小结第114-115页
第5章 结论第115-119页
参考文献第119-133页
致谢第133-135页
攻读学位期间发表的论著和科研、获奖情况第135-137页
作者简介第137页

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