摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-13页 |
第1章 绪论 | 第13-45页 |
·介观物理简述 | 第13-14页 |
·低维半导体材料概述 | 第14-22页 |
·量子阱—单异质结、超晶格 | 第15-20页 |
·量子线 | 第20-22页 |
·准零维结构的量子点 | 第22-27页 |
·量子点的一般描述 | 第22-24页 |
·量子点的实验制备方法 | 第24-27页 |
·量子点中的物理效应 | 第27-37页 |
·共振隧穿效应 | 第27-28页 |
·库仑阻塞效应 | 第28-32页 |
·Kondo效应 | 第32-35页 |
·Fano效应 | 第35-37页 |
·量子点分子结构 | 第37-40页 |
·典型量子点分子结构输运性质 | 第38-39页 |
·自旋阻塞效应 | 第39-40页 |
·量子点的应用 | 第40-42页 |
·量子点在器件中的应用 | 第40-41页 |
·量子比特 | 第41-42页 |
·本文拟开展的研究工作 | 第42-45页 |
第2章 非平衡态格林函数方法 | 第45-63页 |
·量子力学中的三种绘景 | 第45-48页 |
·Schr(o丨¨)dinger绘景 | 第45-46页 |
·相互作用绘景 | 第46页 |
·Heisenberg绘景 | 第46-47页 |
·描述系统状态变化的S-矩阵 | 第47-48页 |
·平衡态格林函数的定义 | 第48-49页 |
·非平衡态格林函数 | 第49-60页 |
·非平衡态格林函数的定义 | 第49-51页 |
·Langreth定理、Dyson方程与运动方程 | 第51-53页 |
·非平衡态格林函数在介观体系电子输运中的应用 | 第53-60页 |
·AB效应简述 | 第60-63页 |
第3章 嵌有量子点分子的两终端AB干涉器中电子的退耦合态及反共振现象 | 第63-95页 |
·研究背景 | 第63-64页 |
·理论模型 | 第64-67页 |
·耦合量子点体系的分子轨道表象 | 第67-69页 |
·数值结果与分析 | 第69-94页 |
·量子点链以两相邻量子点嵌入AB干涉器的电子输运性质 | 第69-78页 |
·量子点链以两个端点嵌入AB干涉器的电子输运性质 | 第78-85页 |
·量子点环嵌入AB干涉器的电子输运性质 | 第85-93页 |
·退耦合态导致的负微分电容现象 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
第4章 复杂AB干涉器中的自旋极化输运和纯自旋流的实现 | 第95-115页 |
·研究背景 | 第95-96页 |
·理论模型 | 第96-113页 |
·理论模型一:三终端的AB干涉器 | 第96-106页 |
·理论模型二:有电极侧向耦合的双量子点AB干涉器 | 第106-113页 |
·实验可行性 | 第113-114页 |
·本章小结 | 第114-115页 |
第5章 结论 | 第115-119页 |
参考文献 | 第119-133页 |
致谢 | 第133-135页 |
攻读学位期间发表的论著和科研、获奖情况 | 第135-137页 |
作者简介 | 第137页 |