| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| ·热光伏转换系统及逛谱控制器的研究背景及发展状况 | 第7-13页 |
| ·热光伏转换系统的研究背景及发展状况 | 第7-9页 |
| ·光谱控制器的研究背景及发展现状 | 第9-13页 |
| ·课题意义以及主要工作内容 | 第13-14页 |
| 2 薄膜成核生长与薄膜结构 | 第14-34页 |
| ·薄膜成核与生长 | 第14-26页 |
| ·薄膜成核生长的热力学 | 第14-19页 |
| ·薄膜成核生长的动力学 | 第19-23页 |
| ·衬底温度和沉积速率对形核过程的影响 | 第23-24页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第24-26页 |
| ·薄膜的生长过程与薄膜结构 | 第26-28页 |
| ·非外延生长模式 | 第26-28页 |
| ·外延生长模式 | 第28页 |
| ·光谱控制器膜系结构 | 第28-34页 |
| 3 真空镀膜 | 第34-40页 |
| ·真空技术 | 第34页 |
| ·电子束蒸发源镀膜法 | 第34-37页 |
| ·离子束辅助蒸发 | 第37页 |
| ·膜厚的控制 | 第37-40页 |
| ·石英晶体监控 | 第38页 |
| ·光学膜厚监控 | 第38-40页 |
| 4 薄膜的制备 | 第40-46页 |
| ·镀膜材料的工艺性能 | 第40-41页 |
| ·硅(Si) | 第40页 |
| ·二氧化硅(SiO_2) | 第40页 |
| ·二氧化钛(TiO_2) | 第40-41页 |
| ·镀膜设备 | 第41-43页 |
| ·电子束蒸发制备Si、SiO_2、TiO_2薄膜 | 第43-46页 |
| 5 工艺参数对薄膜结构和性质的影响及工艺参数的确定 | 第46-60页 |
| ·工艺参数对Si薄膜性能的影响 | 第46-50页 |
| ·真空度对Si薄膜性能的影响 | 第46-47页 |
| ·基片温度对Si薄膜性能的影响 | 第47-48页 |
| ·沉积速率对Si薄膜性能的影响 | 第48-49页 |
| ·结果分析 | 第49-50页 |
| ·工艺参数对SiO_2薄膜性能的影响 | 第50-51页 |
| ·基片温度对SiO_2薄膜性能的影响 | 第50页 |
| ·沉积速率对SiO_2薄膜性能的影响 | 第50-51页 |
| ·工艺参数对二氧化钛薄膜的影响 | 第51-58页 |
| ·影响制备二氧化钛薄膜的工艺参数的正交实验 | 第51-52页 |
| ·基片温度对二氧化钛薄膜性能的影响 | 第52-54页 |
| ·真空度度二氧化钛薄膜性能的影响 | 第54-55页 |
| ·沉积速率对二氧化钛薄膜性能的影响 | 第55-56页 |
| ·退火温度对二氧化钛薄膜结构的影响 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·整个工艺流程中工艺参数以及工艺流程的确定 | 第58-59页 |
| ·光谱控制器的透过率测量结果 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |