中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
·研究背景 | 第9-10页 |
·表面等离子激元光刻技术 | 第10-15页 |
·本论文的主要内容 | 第15-17页 |
第二章 表面等离子激元的基本原理 | 第17-31页 |
·引言 | 第17页 |
·表面等离子激元的基本特性 | 第17-26页 |
·表面等离子激元的色散关系 | 第17-22页 |
·表面等离子激元的激发方式 | 第22-24页 |
·表面等离子激元的特征长度参数 | 第24-26页 |
·FDTD 数值计算方法概述 | 第26-30页 |
·FDTD 数值计算方法原理 | 第27-29页 |
·FDTD 计算的稳定条件 | 第29页 |
·FDTD 的边界条件 | 第29-30页 |
·本章小结 | 第30-31页 |
第三章 基于二维金属光栅的超分辨纳米结构产生和光刻技术研究 | 第31-47页 |
·引言 | 第31页 |
·光栅激发表面等离子激元干涉特性研究 | 第31-36页 |
·一维光栅和二维光栅激发等离子干涉数值模拟对比 | 第32-35页 |
·金属薄膜对干涉图案的影响 | 第35-36页 |
·光栅模板满足共振方程四共振态时表面等离子激元光刻技术 | 第36-43页 |
·入射光为线偏振光时入射光的偏振角度对干涉结果的影响 | 第36-38页 |
·不同偏振态入射光对干涉结果的影响 | 第38-39页 |
·光栅模板结构对干涉结果的影响 | 第39-43页 |
·光栅模板满足共振方程六共振态时表面等离子激元光刻技术 | 第43-46页 |
·当入射光为线偏振光时入射光偏振角度对干涉结果的影响 | 第43-45页 |
·当入射光为圆偏振光时对干涉结果的影响 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第四章 二维光栅激发表面等离子激元干涉机理研究 | 第47-58页 |
·引言 | 第47页 |
·二维光栅激发表面等离子特性研究 | 第47-52页 |
·二维表面等离子激元激发条件 | 第47-49页 |
·二维光栅周期对表面等离子激元的影响 | 第49-50页 |
·入射光偏振态改变表面等离子激元的影响 | 第50-52页 |
·多模式表面等离子激元干涉机理 | 第52-57页 |
·四模式表面等离子激元干涉解析模拟 | 第52-55页 |
·六模式表面等离子激元干涉解析模拟 | 第55-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
·总结 | 第58-59页 |
·展望 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |