| 摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-14页 |
| 引言 | 第14-18页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第一章 半导体量子阱的研究现状 | 第18-40页 |
| ·前言 | 第18-19页 |
| ·半导体量子阱介绍 | 第19-28页 |
| ·半导体量子阱的定义 | 第19-20页 |
| ·超晶格量子阱的分类 | 第20-22页 |
| ·半导体量子阱的制备方法 | 第22-24页 |
| ·量子阱和超晶格特性 | 第24-28页 |
| ·量子阱超晶格材料的应用 | 第28页 |
| ·半导体自旋电子学的研究进展 | 第28-34页 |
| ·磁性半导体 | 第29-30页 |
| ·磁性半导体的自旋注入和检测 | 第30-32页 |
| ·非磁性半导体结构中的自旋 | 第32-33页 |
| ·半导体电子自旋的控制和操纵 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 方法及Fano效应的介绍 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·散射矩阵或者S矩阵 | 第40-44页 |
| ·转移矩阵 | 第44-45页 |
| ·Landauer-B(u|¨)ttiker公式 | 第45-47页 |
| ·Floquet定理 | 第47-48页 |
| ·Fano效应 | 第48-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 光子辅助的单量子阱自旋共振输运特性 | 第52-68页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·模型和公式 | 第53-58页 |
| ·数值结果和讨论 | 第58-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 双量子阱中依赖于两外场相位差的自旋输运 | 第68-82页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·模型和公式 | 第69-72页 |
| ·数值结果和讨论 | 第72-78页 |
| ·小结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 不同振荡场下的单量子阱自旋共振输运 | 第82-94页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·模型和公式 | 第83-88页 |
| ·数值结果和讨论 | 第88-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第六章 通过附有单缺陷局域BEC的一维光晶格中的原子散射效应 | 第94-116页 |
| ·玻色-爱因斯坦凝聚的理论预言和实现 | 第94-98页 |
| ·BEC的理论预言 | 第94-96页 |
| ·BEC的实验实现 | 第96-98页 |
| ·光晶格势的产生和介绍 | 第98-101页 |
| ·光晶格势的产生 | 第99页 |
| ·光晶格势的介绍 | 第99-101页 |
| ·模型和公式 | 第101-105页 |
| ·结果和讨论 | 第105-108页 |
| ·小结 | 第108页 |
| 附录 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-116页 |
| 总结与展望 | 第116-118页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |