超高真空超薄薄膜蒸发系统及CdS薄膜生长研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第—章 绪论 | 第9-15页 |
| ·CdS研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·CdS的基本性质 | 第10页 |
| ·CdS的制备方法及研究现状 | 第10-13页 |
| ·本课题研究任务和目的 | 第13-14页 |
| 本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 K09-007超高真空超薄薄膜蒸发系统 | 第15-25页 |
| ·真空热蒸发系统 | 第15-19页 |
| ·抽气系统 | 第16-17页 |
| ·真空测量系统 | 第17-18页 |
| ·加热控温系统 | 第18-19页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)系统 | 第19-24页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)的基本原理 | 第19-20页 |
| ·仪器的调试使用及Si单晶表面衍射图样的标定 | 第20-24页 |
| ·仪器的调试使用 | 第20-21页 |
| ·单晶硅表面衍射实验 | 第21-22页 |
| ·Si(001)单晶表面晶格常数的标定 | 第22-24页 |
| 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 真空度对CdS薄膜生长的影响 | 第25-33页 |
| ·实验过程 | 第25页 |
| ·CdS薄膜的表征 | 第25-32页 |
| ·不同气压下生长CdS薄膜的XRD | 第25-26页 |
| ·不同气压下生长CdS薄膜AFM表面形貌表征 | 第26-28页 |
| ·不同气压下生长CdS薄膜的光学性质 | 第28-31页 |
| ·不同气压下生长CdS薄膜的电学特性 | 第31-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 衬底温度对CdS薄膜生长的影响 | 第33-40页 |
| ·实验过程 | 第33页 |
| ·CdS薄膜的表征 | 第33-39页 |
| ·不同衬底温度CdS薄膜的XRD | 第33-35页 |
| ·AFM表面形貌表征 | 第35页 |
| ·不同衬底温度CdS薄膜的光学性质 | 第35-37页 |
| ·不同衬底温度CdS薄膜的电学特性 | 第37-39页 |
| 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 硕士期间发表论文 | 第46-47页 |
