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减小和抑制二次电子倍增效应研究

中文摘要第1页
英文摘要第3-6页
第一章 引言第6-12页
   ·选题背景及其意义第6-7页
   ·国内外研究动态第7-9页
     ·脉冲缩短的研究第7-8页
     ·二次电子倍增效应的研究第8-9页
   ·课题研究内容第9-10页
   ·论文主要工作第10-12页
第二章 二次电子倍增效应模型第12-15页
   ·二次电子激发率第12-13页
   ·二次电子激发模型第13-15页
第三章 双边 MULTIPACTOR 物理特性分析第15-24页
   ·双边 MULTIPACTOR第15-16页
   ·动力学理论及 MULTIPACTOR 模型第16-17页
   ·敏感区域第17-21页
   ·二次电子的时间演化第21-23页
   ·结论第23-24页
第四章 单边 MULTIPACTOR 物理特性分析第24-35页
   ·单边 MULTIPACTOR第24页
   ·射频场垂直表面其概况第24-29页
     ·动力学理论及模型第24-26页
     ·敏感曲线第26-28页
     ·二次电子时间演化第28-29页
   ·射频场平行表面的情况第29-34页
     ·动力学理论及模型第29-31页
     ·敏感曲线第31-32页
     ·二次电子时间演化第32-34页
   ·结论第34-35页
第五章 磁场影响下的单边 MULTIPACTOR 物理特性分析第35-42页
   ·磁场影响下的单边 MULTIPACTOR 模型第35-36页
   ·敏感曲线第36-39页
   ·二次电子时间演化第39-40页
   ·结论第40-42页
第六章 减小和抑制 MULTIPACTOR 的措施第42-45页
   ·窗口和射频击穿的硬技术抑制方法第42-44页
   ·减小或抑制 MULTIPACTOR第44-45页
第七章 总结和展望第45-46页
参考文献第46-49页
致谢第49-50页
攻读硕士期间发表的论文和参加的科研项目第50页

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