| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-16页 |
| 第一章 正电子理论计算系统概述 | 第16-42页 |
| ·正电子学简介 | 第16-20页 |
| ·正电子历史 | 第16-17页 |
| ·正电子谱学原理 | 第17-20页 |
| ·正电子实验技术 | 第20-21页 |
| ·正电子理论计算技术 | 第21-25页 |
| ·正电子理论计算系统的搭建 | 第25-28页 |
| ·单晶铝内各种空位型缺陷的正电子计算(系统检验) | 第28-42页 |
| 第二章 周期表中元素单晶正电子计算 | 第42-148页 |
| ·氢(H) | 第43-44页 |
| ·氦(He) | 第44-45页 |
| ·锂(Li) | 第45-46页 |
| ·铍(Be) | 第46-48页 |
| ·硼(B) | 第48-50页 |
| ·碳(C) | 第50-51页 |
| ·氮(N) | 第51-53页 |
| ·氧(O) | 第53-54页 |
| ·氖(Ne) | 第54-55页 |
| ·钠(Na) | 第55-56页 |
| ·镁(Mg) | 第56-57页 |
| ·铝(Al) | 第57-58页 |
| ·硅(Si) | 第58-59页 |
| ·磷(P) | 第59-60页 |
| ·硫(S) | 第60-62页 |
| ·氩(Ar) | 第62-63页 |
| ·钾(K) | 第63-64页 |
| ·钙(Ga) | 第64-65页 |
| ·钪(Sc) | 第65-66页 |
| ·钛(Ti) | 第66-67页 |
| ·钒(V) | 第67-68页 |
| ·铬(Cr) | 第68-69页 |
| ·锰(Mn) | 第69-70页 |
| ·铁(Fe) | 第70-71页 |
| ·钴(Co) | 第71-72页 |
| ·镍(Ni) | 第72-73页 |
| ·铜(Cu) | 第73-75页 |
| ·锌(Zn) | 第75-76页 |
| ·镓(Ga) | 第76-77页 |
| ·锗(Ge) | 第77-78页 |
| ·砷(As) | 第78-79页 |
| ·硒(Se) | 第79-80页 |
| ·氪(Kr) | 第80-81页 |
| ·铷(Rb) | 第81-82页 |
| ·锶(Sr) | 第82-83页 |
| ·钇(Y) | 第83-84页 |
| ·锆(Zr) | 第84-86页 |
| ·铌(Nb) | 第86-87页 |
| ·钼(Mo) | 第87-88页 |
| ·锝(Tc) | 第88-89页 |
| ·钌(Ru) | 第89-90页 |
| ·铑(Rh) | 第90-91页 |
| ·钯(Pd) | 第91-92页 |
| ·银(Ag) | 第92-93页 |
| ·镉(Cd) | 第93-94页 |
| ·铟(In) | 第94-95页 |
| ·碘(I) | 第95-97页 |
| ·氙(Xe) | 第97-98页 |
| ·铯(Cs) | 第98-99页 |
| ·钡(Ba) | 第99-100页 |
| ·铈(Ce) | 第100-101页 |
| ·镨(Pr) | 第101-102页 |
| ·钕(Nd) | 第102-103页 |
| ·钷(Pm) | 第103-104页 |
| ·钐(Sm) | 第104-105页 |
| ·铕(Eu) | 第105-106页 |
| ·钆(Gd) | 第106-107页 |
| ·铽(Tb) | 第107-108页 |
| ·镝(Dy) | 第108-109页 |
| ·钬(Ho) | 第109-110页 |
| ·铒(Er) | 第110-112页 |
| ·铥(Tm) | 第112-113页 |
| ·镱(Yb) | 第113-114页 |
| ·镥(Lu) | 第114-115页 |
| ·铪(Hf) | 第115-116页 |
| ·钽(Ta) | 第116-117页 |
| ·钨(W) | 第117-118页 |
| ·铼(Re) | 第118-119页 |
| ·锇(Os) | 第119-121页 |
| ·铱(Ir) | 第121-122页 |
| ·铂(Pt) | 第122-123页 |
| ·金(Au) | 第123-124页 |
| ·汞(Hg) | 第124-125页 |
| ·铊(Tl) | 第125-126页 |
| ·铅(Pb) | 第126-127页 |
| ·钋(Po) | 第127-128页 |
| ·镭(Ra) | 第128-129页 |
| ·锕(Ac) | 第129-130页 |
| ·钍(Th) | 第130-131页 |
| ·鏷(Pa) | 第131-132页 |
| ·铀(U) | 第132-133页 |
| ·镎(Np) | 第133-134页 |
| ·钚(Pu) | 第134-135页 |
| ·镅(Am) | 第135-136页 |
| ·锔(Cm) | 第136-137页 |
| ·锫(Bk) | 第137-138页 |
| ·锎(Cf) | 第138-139页 |
| ·总结与分析 | 第139-148页 |
| ·LDA方法 | 第139-143页 |
| ·GGA方法 | 第143-148页 |
| 第三章 碳同素异形体的正电子计算 | 第148-154页 |
| ·石墨,金刚石和C60的正电子计算 | 第148-151页 |
| ·石墨 | 第148-149页 |
| ·金刚石 | 第149-150页 |
| ·C60 | 第150-151页 |
| ·不同管径多壁碳纳米管束的正电子计算 | 第151-154页 |
| 第四章 化合物半导体的正电子计算 | 第154-176页 |
| ·化合物半导体材料-ZnO | 第154-158页 |
| ·自由态正电子湮没 | 第154-155页 |
| ·Zn单空位 | 第155-156页 |
| ·O单空位 | 第156页 |
| ·Zn双空位 | 第156页 |
| ·O双空位 | 第156-157页 |
| ·Zn-O双空位 | 第157页 |
| ·ZnO中正电子湮没行为总结与分析 | 第157-158页 |
| ·化合物半导体材料-GaN | 第158-162页 |
| ·自由态正电子湮没 | 第158-159页 |
| ·Ga单空位 | 第159页 |
| ·N单空位 | 第159-160页 |
| ·Ga双空位 | 第160页 |
| ·N双空位 | 第160-161页 |
| ·Ga-N双空位 | 第161页 |
| ·GaN单晶中正电子湮没行为总结与分析 | 第161-162页 |
| ·化合物半导体材料-GaAs | 第162-166页 |
| ·自由正电子湮没 | 第162-163页 |
| ·Ga单空位 | 第163-164页 |
| ·As单空位 | 第164页 |
| ·Ga双空位 | 第164页 |
| ·As双空位 | 第164-165页 |
| ·Ga-As双空位 | 第165页 |
| ·单晶GaAs中正电子湮没行为总结与分析 | 第165-166页 |
| ·化合物半导体材料-SiC | 第166-170页 |
| ·自由态正电子湮没 | 第166-167页 |
| ·Si单空位 | 第167-168页 |
| ·C单空位 | 第168页 |
| ·Si双空位 | 第168-169页 |
| ·C双空位 | 第169页 |
| ·Sj-C双空位 | 第169-170页 |
| ·6H-SiC单晶中正电子湮没行为总结与分析 | 第170页 |
| ·化合物半导体材料-InP | 第170-176页 |
| ·自由态正电子湮没 | 第171-172页 |
| ·In单空位 | 第172页 |
| ·P单空位 | 第172页 |
| ·In双空位 | 第172-173页 |
| ·P双空位 | 第173页 |
| ·In-P双空位 | 第173-174页 |
| ·InP单晶中正电子湮没行为总结与分析 | 第174-176页 |
| 第五章 高温超导体的正电子计算 | 第176-190页 |
| ·铜基高温超导体YBaCuO中正电子湮没及分布 | 第176-183页 |
| ·自由正电子湮没 | 第176-178页 |
| ·Y单空位 | 第178页 |
| ·Ba单空位 | 第178-179页 |
| ·Cu单空位 | 第179-180页 |
| ·O单空位 | 第180-182页 |
| ·YBa_2Cu_3O_7单晶正电子湮没总结与分析 | 第182-183页 |
| ·铁基高温超导体SmFeAsO中的正电子湮没 | 第183-190页 |
| ·自由正电子湮没 | 第183-186页 |
| ·Fe单空位 | 第186页 |
| ·Sm单空位 | 第186-187页 |
| ·As单空位 | 第187页 |
| ·O单空位 | 第187-188页 |
| ·SmFeAsO正电子湮没总结 | 第188-190页 |
| 第六章 结束语 | 第190-192页 |
| 参考文献 | 第192-198页 |
| 致谢 | 第198-199页 |
| 在读期间发表的论文与取得的研究成果 | 第199页 |