摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-15页 |
第一章 绪论 | 第15-23页 |
·引言 | 第15-16页 |
·VO_2薄膜的晶体结构与特性 | 第16-18页 |
·VO_2薄膜的晶体结构 | 第16-17页 |
·VO_2薄膜的特性 | 第17-18页 |
·VO_2薄膜的应用 | 第18-19页 |
·非致冷红外探测器 | 第18页 |
·太阳能控制材料应用 | 第18-19页 |
·热致开关 | 第19页 |
·光电开关 | 第19页 |
·光存储 | 第19页 |
·其他方面的应用 | 第19页 |
·VO_x薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
·磁控溅射(MS) | 第19-20页 |
·真空蒸发(VE) | 第20页 |
·离子束溅射沉积 | 第20-21页 |
·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
·脉冲激光沉积技术 | 第21-22页 |
·本章小结 | 第22-23页 |
第二章 VO_x薄膜的制备及测试方法 | 第23-33页 |
·引言 | 第23页 |
·薄膜的制备 | 第23-30页 |
·溅射的基本原理 | 第23-28页 |
·薄膜的沉积过程 | 第28-29页 |
·衬底的清洗方法 | 第29页 |
·磁控溅射制备VO_x薄膜的制备 | 第29-30页 |
·薄膜的测试 | 第30-32页 |
·结构分析 | 第30页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第31-32页 |
·薄膜内耗的测试 | 第32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第三章 VO_x薄膜的制备工艺及性能分析 | 第33-51页 |
·引言 | 第33页 |
·氧氩比对VO_x薄膜性能的影响 | 第33-39页 |
·高氧比例的VO_x薄膜XRD分析 | 第34-35页 |
·高氧比例的VO_x薄膜的SEM分析 | 第35页 |
·高氧比例的VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第35-37页 |
·低氧比例的VO_x薄膜电阻-温度曲线 | 第37-38页 |
·高氧比例的VO_x薄膜的XPS分析 | 第38-39页 |
·工作气压对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第39-41页 |
·不同的退火工艺对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第41-44页 |
·退火温度对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第41-42页 |
·退火时间对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第42-43页 |
·退火气氛对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第43-44页 |
·不同衬底对VO_x薄膜性能的影响 | 第44-49页 |
·在不同衬底上射频制备VO_x薄膜的工艺参数 | 第44页 |
·不同衬底样品的XRD分析 | 第44-45页 |
·不同衬底样品的SEM分析 | 第45-47页 |
·不同衬底样品的XPS分析 | 第47-48页 |
·不同衬底对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第四章 VO_x多层膜的制备工艺及性能分析 | 第51-57页 |
·引言 | 第51页 |
·VO_x/TiO_x薄膜的制备 | 第51页 |
·沉积TiO_x时衬底温度对VO_x/TiO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第51-52页 |
·不同氧氩比对VO_x/TiO_x薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第52-53页 |
·对比不同层数氧化钒薄膜的电阻-温度曲线 | 第53-54页 |
·对比VO_x薄膜和VO_x/TiO_x薄膜的电阻-温度曲线 | 第53页 |
·对比VO_x/TiO_x薄膜和VO_x/TiO_x/Ti薄膜的电阻-温度曲线 | 第53-54页 |
·不同溅射功率对VO_x/TiO_x/Ti薄膜电阻-温度曲线的影响 | 第54-55页 |
·不同层数氧化钒薄膜的XRD分析 | 第55-56页 |
·VO_x单层膜的XRD分析 | 第55页 |
·VO_x/TiO_x薄膜的XRD分析 | 第55页 |
·VO_x/TiO_x/Ti薄膜的XRD分析 | 第55-56页 |
·结论 | 第56-57页 |
第五章 VO_x薄膜的内耗研究 | 第57-62页 |
·引言 | 第57页 |
·制各样品的主要工艺参数 | 第57页 |
·薄膜样品的XRD | 第57-58页 |
·薄膜样品的电阻-温度曲线 | 第58-59页 |
·膜厚对薄膜试样杨氏模量的影响 | 第59-60页 |
·退火对薄膜试样杨氏模量的影响 | 第60页 |
·频率对薄膜试样杨氏模量的影响 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第六章 总结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
硕士期间论文发表情况 | 第68页 |