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非致冷红外探测器用VO_x薄膜的制备与性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-15页
第一章 绪论第15-23页
   ·引言第15-16页
   ·VO_2薄膜的晶体结构与特性第16-18页
     ·VO_2薄膜的晶体结构第16-17页
     ·VO_2薄膜的特性第17-18页
   ·VO_2薄膜的应用第18-19页
     ·非致冷红外探测器第18页
     ·太阳能控制材料应用第18-19页
     ·热致开关第19页
     ·光电开关第19页
     ·光存储第19页
     ·其他方面的应用第19页
   ·VO_x薄膜的制备方法第19-22页
     ·磁控溅射(MS)第19-20页
     ·真空蒸发(VE)第20页
     ·离子束溅射沉积第20-21页
     ·溶胶-凝胶法第21页
     ·脉冲激光沉积技术第21-22页
   ·本章小结第22-23页
第二章 VO_x薄膜的制备及测试方法第23-33页
   ·引言第23页
   ·薄膜的制备第23-30页
     ·溅射的基本原理第23-28页
     ·薄膜的沉积过程第28-29页
     ·衬底的清洗方法第29页
     ·磁控溅射制备VO_x薄膜的制备第29-30页
   ·薄膜的测试第30-32页
     ·结构分析第30页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第30-31页
     ·X射线光电子能谱(XPS)第31-32页
     ·薄膜内耗的测试第32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 VO_x薄膜的制备工艺及性能分析第33-51页
   ·引言第33页
   ·氧氩比对VO_x薄膜性能的影响第33-39页
     ·高氧比例的VO_x薄膜XRD分析第34-35页
     ·高氧比例的VO_x薄膜的SEM分析第35页
     ·高氧比例的VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第35-37页
     ·低氧比例的VO_x薄膜电阻-温度曲线第37-38页
     ·高氧比例的VO_x薄膜的XPS分析第38-39页
   ·工作气压对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第39-41页
   ·不同的退火工艺对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第41-44页
     ·退火温度对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第41-42页
     ·退火时间对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第42-43页
     ·退火气氛对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第43-44页
   ·不同衬底对VO_x薄膜性能的影响第44-49页
     ·在不同衬底上射频制备VO_x薄膜的工艺参数第44页
     ·不同衬底样品的XRD分析第44-45页
     ·不同衬底样品的SEM分析第45-47页
     ·不同衬底样品的XPS分析第47-48页
     ·不同衬底对VO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第48-49页
   ·本章小结第49-51页
第四章 VO_x多层膜的制备工艺及性能分析第51-57页
   ·引言第51页
   ·VO_x/TiO_x薄膜的制备第51页
   ·沉积TiO_x时衬底温度对VO_x/TiO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第51-52页
   ·不同氧氩比对VO_x/TiO_x薄膜电阻-温度曲线的影响第52-53页
   ·对比不同层数氧化钒薄膜的电阻-温度曲线第53-54页
     ·对比VO_x薄膜和VO_x/TiO_x薄膜的电阻-温度曲线第53页
     ·对比VO_x/TiO_x薄膜和VO_x/TiO_x/Ti薄膜的电阻-温度曲线第53-54页
   ·不同溅射功率对VO_x/TiO_x/Ti薄膜电阻-温度曲线的影响第54-55页
   ·不同层数氧化钒薄膜的XRD分析第55-56页
     ·VO_x单层膜的XRD分析第55页
     ·VO_x/TiO_x薄膜的XRD分析第55页
     ·VO_x/TiO_x/Ti薄膜的XRD分析第55-56页
   ·结论第56-57页
第五章 VO_x薄膜的内耗研究第57-62页
   ·引言第57页
   ·制各样品的主要工艺参数第57页
   ·薄膜样品的XRD第57-58页
   ·薄膜样品的电阻-温度曲线第58-59页
   ·膜厚对薄膜试样杨氏模量的影响第59-60页
   ·退火对薄膜试样杨氏模量的影响第60页
   ·频率对薄膜试样杨氏模量的影响第60-61页
   ·本章小结第61-62页
第六章 总结第62-64页
参考文献第64-68页
硕士期间论文发表情况第68页

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