| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-34页 |
| ·自旋电子学简介 | 第11-16页 |
| ·基于铁磁性金属的器件 | 第11-13页 |
| ·自旋注入半导体 | 第13-15页 |
| ·单电子自旋器件 | 第15-16页 |
| ·三维受限半导体系统 | 第16-19页 |
| ·量子点的定义 | 第16页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第16-18页 |
| ·近藤效应 | 第18-19页 |
| ·Rashba自旋轨道耦合 | 第19-21页 |
| ·量子输运理论 | 第21-31页 |
| ·非平衡格林函数 | 第21-27页 |
| ·slave-boson方法 | 第27-31页 |
| ·本文的研究来源和国内外研究现状 | 第31-32页 |
| ·研究目的和主要研究内容 | 第32-34页 |
| ·研究目的 | 第32-33页 |
| ·主要研究内容 | 第33-34页 |
| 第2章 平行耦合双量子点结构自旋相关的Fano效应 | 第34-52页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·平行耦合双量子点模型及电导表达式 | 第34-39页 |
| ·分子表象 | 第39-41页 |
| ·数值计算和讨论 | 第41-51页 |
| ·磁通量为零，无库仑作用的情况 | 第41-45页 |
| ·磁通量不为零，无库仑作用的情况 | 第45-47页 |
| ·库仑作用对电导的影响 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 双量子点嵌入AB环体系的自旋积累 | 第52-63页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·双量子点结构模型 | 第52-55页 |
| ·数值计算和讨论 | 第55-61页 |
| ·自旋积累 | 第55-58页 |
| ·库仑相互作用对自旋积累的影响 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 平行耦合双量子点体系电压调控的自旋极化输运 | 第63-74页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·模型哈密顿量及电流公式 | 第64-68页 |
| ·数值计算和讨论 | 第68-73页 |
| ·自旋分离 | 第69-71页 |
| ·纯自旋流的获得 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第5章 双量子点结构的Kondo-Rashba效应 | 第74-84页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·双量子点模型和公式 | 第74-78页 |
| ·数值结果与讨论 | 第78-83页 |
| ·隧穿函数 | 第78-80页 |
| ·局域态密度 | 第80-81页 |
| ·线性电导 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-94页 |
| 攻读博士期间所发表的学术论文 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 个人简历 | 第97页 |
