| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 核聚变与Tokamak聚变反应堆 | 第12-16页 |
| 1.2 中国聚变工程实验堆CFETR | 第16-22页 |
| 1.3 聚变中子学程序及其接口需求 | 第22-30页 |
| 1.3.1 聚变中子学分析中使用的典型程序 | 第23-26页 |
| 1.3.2 聚变中子学程序的接口需求与研究现状 | 第26-30页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 聚变中子学与典型参数的计算 | 第32-46页 |
| 2.1 粒子输运问题与MCNP程序 | 第33-41页 |
| 2.1.1 聚变中子与原子核相互作用 | 第33-34页 |
| 2.1.2 核反应截面与核截面库 | 第34-38页 |
| 2.1.3 聚变中子学的典型参数与MCNP计算 | 第38-41页 |
| 2.2 燃耗问题与FISPACT计算 | 第41-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 聚变中子学程序接口研究 | 第46-94页 |
| 3.1 等离子体物理参数与聚变中子学分析的接口 | 第46-54页 |
| 3.1.1 托卡马克D-D/D-T聚变中子源数值模型 | 第46-50页 |
| 3.1.2 中子源接口程序SCG与验证 | 第50-53页 |
| 3.1.3 CFETR的H-mode、A-mode中子源 | 第53-54页 |
| 3.2 中子学自动建模软件 | 第54-60页 |
| 3.2.1 McCad | 第55-57页 |
| 3.2.2 DesignModeler | 第57-58页 |
| 3.2.3 McCad与CFETR中子学建模 | 第58-60页 |
| 3.3 CFETR中子学参数化建模研究 | 第60-69页 |
| 3.3.1 D型分界面的参数化 | 第61-63页 |
| 3.3.2 HECLIC增殖包层的参数化 | 第63-64页 |
| 3.3.3 参数化建模程序NPST与CFETR中子学建模 | 第64-69页 |
| 3.4 MCNP的减方差方法 | 第69-77页 |
| 3.4.1 聚变中子学计算中的典型减方差技巧 | 第70-72页 |
| 3.4.2 FW-CADIS方法 | 第72-76页 |
| 3.4.3 CFETR减方差方法的应用实例 | 第76-77页 |
| 3.5 停堆剂量率计算与R2S方法 | 第77-82页 |
| 3.5.1 基于Mesh的R2S方法 | 第77-79页 |
| 3.5.2 CFETR停堆剂量率的计算 | 第79-82页 |
| 3.6 中子学计算后处理接口 | 第82-85页 |
| 3.6.1 MT2X与Mcmeshtran | 第82-83页 |
| 3.6.2 中子学后处理接口的验证与应用 | 第83-85页 |
| 3.7 MCNP非结构性网格特性在CFETR中子学分析中的应用 | 第85-92页 |
| 3.7.1 MCNP非结构性网格的原理 | 第86页 |
| 3.7.2 非结构性网格特性在CFETR中子学分析中的应用 | 第86-90页 |
| 3.7.3 基于UM模型的CFETR偏滤器核热计算测试 | 第90-92页 |
| 3.8 本章小结 | 第92-94页 |
| 第四章 聚变中子学分析与接口应用 | 第94-122页 |
| 4.1 中子源分布对CFETR中子学性能的影响 | 第94-98页 |
| 4.2 偏滤器中子学模型 | 第98-99页 |
| 4.3 CFETR中子学性能分析与设计 | 第99-120页 |
| 4.3.1 CFETR屏蔽性能分析 | 第100-106页 |
| 4.3.2 CFETR HECLIC包层氚增殖性能分析 | 第106-110页 |
| 4.3.3 CFETR HECLIC 2014 BU增殖单元设计方案的中子学分析 | 第110-120页 |
| 4.4 本章小结 | 第120-122页 |
| 第五章 总结与展望 | 第122-126页 |
| 5.1 本文总结 | 第122-123页 |
| 5.2 本文特色与创新 | 第123-124页 |
| 5.3 下一步工作展望 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-134页 |
| 附录1 CFETRL-mode中子源描述 | 第134-144页 |
| 附录2 中子、光子的通量与剂量转换系数 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第148-149页 |
