| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 前言 | 第12-13页 |
| 1.2 二硫化钼的结构 | 第13-14页 |
| 1.3 二硫化钼的制备 | 第14-19页 |
| 1.3.1 “Top-down”方式 | 第14-17页 |
| 1.3.2 “Bottom-up”方式 | 第17-19页 |
| 1.4 二硫化钼的应用 | 第19-23页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第19-20页 |
| 1.4.2 气敏传感器 | 第20-21页 |
| 1.4.3 柔性电子器件 | 第21页 |
| 1.4.4 催化析氢 | 第21-22页 |
| 1.4.5 光电器件 | 第22页 |
| 1.4.6 其他方面的应用 | 第22-23页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验及表征手段 | 第24-30页 |
| 2.1 实验装置与试剂 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验装置 | 第24-25页 |
| 2.1.2 材料和试剂 | 第25页 |
| 2.2 实验步骤及原理 | 第25-27页 |
| 2.2.1 CVD法合成二硫化钼薄膜原理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 表面预处理 | 第26页 |
| 2.2.3 转移原理 | 第26-27页 |
| 2.3 表征手段 | 第27-29页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第27页 |
| 2.3.2 激光拉曼光谱 | 第27-28页 |
| 2.3.3 PL光谱分析 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 基片预处理对二次生长MoS_2薄膜的影响 | 第30-46页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 二硫化钼薄膜的制备 | 第30-32页 |
| 3.2.1 前期准备工作 | 第30-31页 |
| 3.2.2 制备阶段 | 第31-32页 |
| 3.3 空气中加热处理对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第32-41页 |
| 3.3.1 2mg钼源条件下空气中加热处理对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第33-36页 |
| 3.3.2 1mg钼源条件下空气中加热处理对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第36-39页 |
| 3.3.3 1.5mg钼源条件下空气中加热处理对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 氩气保护中加热处理对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-46页 |
| 第4章 MoS_2薄膜的转移 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 双层二硫化钼薄膜的合成 | 第46-48页 |
| 4.3 不使用水进行胶带转移 | 第48-50页 |
| 4.4 使用水进行胶带转移 | 第50-51页 |
| 4.5 PS溶解辅助转移 | 第51-54页 |
| 4.5.1 PS/MoS_2/蓝宝石结构的制备 | 第51-52页 |
| 4.5.2 转移及去除PS | 第52-53页 |
| 4.5.3 转移结果 | 第53-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 全文总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
