纳米薄膜晶粒生长的厚度效应
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| ·引言 | 第11-15页 |
| ·纳米材料的基本概念 | 第11-13页 |
| ·纳米材料的制备与合成方法 | 第13-15页 |
| ·纳米材料晶粒生长动力学研究 | 第15-20页 |
| ·溶质原子拖曳 | 第15-16页 |
| ·第二相偏析(Zener Drag) | 第16-17页 |
| ·气孔 | 第17-18页 |
| ·空位 | 第18页 |
| ·三叉晶界 | 第18-19页 |
| ·厚度效应 | 第19-20页 |
| ·计算机模拟晶粒生长的研究 | 第20-25页 |
| ·元胞自动机法 | 第20-21页 |
| ·分子动力学法 | 第21-22页 |
| ·相场法 | 第22-23页 |
| ·蒙特卡罗法模拟晶粒生长 | 第23-25页 |
| ·本文研究意义 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-36页 |
| 第二章 蒙特卡罗方法模拟晶粒生长的厚度效应 | 第36-56页 |
| ·蒙特卡罗法简介 | 第36-37页 |
| ·蒙特卡罗算法 | 第37-44页 |
| ·连续系统的网格离散化 | 第37-38页 |
| ·随机数和伪随机数 | 第38-40页 |
| ·Monte Carlo-Potts 模型 | 第40-44页 |
| ·Monte Carlo-Potts 模型的改进 | 第44-45页 |
| ·边界条件 | 第44页 |
| ·取向数数目的选择 | 第44页 |
| ·能量计算和晶粒尺寸统计时对最近邻数目的选择 | 第44-45页 |
| ·蒙特卡罗加速 | 第45页 |
| ·模拟结果 | 第45-53页 |
| ·模拟晶粒组织形貌可视化 | 第45-48页 |
| ·晶粒生长动力学分析 | 第48-51页 |
| ·晶粒生长拓扑学分析 | 第51-53页 |
| 本章小节 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 材料制备与实验方法 | 第56-62页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第56-57页 |
| ·热处理 | 第57页 |
| ·薄膜样品的显微组织分析 | 第57-61页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第57-59页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第59页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第四章厚度效应的实验验证 | 第62-80页 |
| ·实验设计 | 第62-64页 |
| ·Co/SiO_2 多层膜晶粒生长 | 第64-71页 |
| ·磁控溅射法制备Co/SiO_2 多层膜 | 第64页 |
| ·Co/SiO_2 多层膜的扫描电镜分析 | 第64-66页 |
| ·Co/SiO_2 多层膜X 射线衍射分析 | 第66-70页 |
| ·实验中存在的问题 | 第70-71页 |
| ·Ni/SiO_2 多层膜晶粒生长 | 第71-78页 |
| ·实验方案的改进 | 第71-72页 |
| ·磁控溅射法制备Ni/SiO_2 多层膜 | 第72页 |
| ·Ni/SiO_2 多层膜扫描电镜分析 | 第72-74页 |
| ·Ni/SiO_2 多层膜X 射线衍射分析 | 第74-76页 |
| ·Ni/SiO_2 多层膜的透射电镜分析 | 第76-77页 |
| ·Ni/SiO_2 多层膜的晶粒生长动力学分析 | 第77-78页 |
| ·本章小节 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 第五章结论 | 第80-82页 |
| ·主要结论 | 第80-81页 |
| ·论文创新点 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第83-85页 |
