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激光诱导的GaAs和GaN等离子体特性研究

中文摘要第1-10页
Abstract第10-14页
第一章 绪论第14-28页
   ·等离子体基本性质第15页
   ·等离子体的应用第15-18页
     ·在工业方面的应用第15-16页
     ·在航空航天方面的应用第16页
     ·在电工电子方面的应用第16页
     ·在薄膜制备方面的应用第16-17页
     ·在核能源方面的应用第17页
     ·等离子体在军事方面的应用第17页
     ·在生物医学方面的应用第17-18页
   ·激光等离子体及其研究进展第18-19页
   ·等离子体诊断方法第19-21页
     ·探针法第20页
     ·微波法第20页
     ·激光法第20页
     ·光谱法第20-21页
   ·半导体材料GaAs 和GaN 的研究意义及研究进展第21-22页
   ·本论文的主要内容及安排第22-23页
 参考文献第23-28页
第二章 GaAs 等离子体发射谱的时间演化特性分析第28-46页
   ·等离子体辐射机制第28-29页
   ·实验装置和方法第29-33页
     ·激光源第30页
     ·光路第30页
     ·光束接收处理系统第30-31页
     ·信号处理系统第31-33页
   ·结果和讨论第33-44页
     ·连续谱的产生机制及时间演化第33-35页
     ·特征谱线的时间演化第35-40页
     ·激光能量对等离子体谱线相对强度的影响第40-41页
     ·背景压强对等离子体谱线的影响第41-44页
   ·本章小结第44-45页
 参考文献第45-46页
第三章 GaAs 等离子体电子温度和电子密度演化研究第46-61页
   ·电子温度的诊断第46-49页
   ·激光诱导GaAs 等离子体的电子温度测量第49-51页
   ·电子密度的诊断第51-52页
   ·激光诱导GaAs 等离子体的电子密度测量第52-55页
   ·激光能量对等离子体电子温度、电子密度的影响第55-57页
   ·等离子体电子温度、电子密度的空间分布第57-58页
   ·局部热平衡(LTE)条件的验证及等离子体电子密度计算公式成立条件验证第58-59页
   ·本章小结第59-60页
 参考文献第60-61页
第四章 激光等离子体发射光谱谱线展宽和频移的实验分析第61-79页
   ·谱线展宽的机制分析第62-66页
     ·自然展宽第62-63页
     ·多普勒展宽第63-64页
     ·碰撞展宽第64-65页
     ·仪器展宽第65-66页
   ·激光诱导等离子体发射光谱中Ga 原子谱线展宽和频移分析第66-74页
     ·Ga 原子谱线展宽分析第67-70页
     ·Ga 原子谱线频移分析第70-73页
     ·背景气体压强对Ga 原子谱线展宽和频移的影响第73-74页
   ·多普勒频移第74-76页
   ·本章小结第76-77页
 参考文献第77-79页
第五章 激光等离子体膨胀速度的实验理论研究第79-90页
   ·等离子体膨胀速度的实验测量第79-85页
     ·激光能量对等离子体膨胀速度的影响第80-82页
     ·背景气压对等离子体膨胀速度的影响第82-83页
     ·材料对等离子体膨胀速度的影响第83-85页
   ·等离子体膨胀速度的理论计算第85-88页
     ·理论模型第86页
     ·计算结果与分析第86-88页
   ·本章小结第88-89页
 参考文献第89-90页
第六章 等离子体发射谱线自吸收现象分析及发射谱线的理论模拟第90-106页
   ·自吸收现象的形成第90-92页
   ·准分子激光诱导GaAs 等离子体发射光谱的自吸收现象第92-97页
     ·激光源对等离子体发射谱线自吸收现象的影响第94-96页
     ·背景气体压强对准分子诱导的GaAs 等离子体发射谱线自吸收现象的影响第96-97页
   ·等离子体发射谱线的理论模拟第97-104页
     ·光学薄等离子体第98-101页
     ·光学厚等离子体第101-104页
   ·本章小结第104-105页
 参考文献第105-106页
第七章 结论第106-109页
   ·总结第106-107页
   ·展望第107-109页
攻读博士学位期间完成的论文第109-111页
致谢第111页

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