中文摘要 | 第1-10页 |
Abstract | 第10-14页 |
第一章 绪论 | 第14-28页 |
·等离子体基本性质 | 第15页 |
·等离子体的应用 | 第15-18页 |
·在工业方面的应用 | 第15-16页 |
·在航空航天方面的应用 | 第16页 |
·在电工电子方面的应用 | 第16页 |
·在薄膜制备方面的应用 | 第16-17页 |
·在核能源方面的应用 | 第17页 |
·等离子体在军事方面的应用 | 第17页 |
·在生物医学方面的应用 | 第17-18页 |
·激光等离子体及其研究进展 | 第18-19页 |
·等离子体诊断方法 | 第19-21页 |
·探针法 | 第20页 |
·微波法 | 第20页 |
·激光法 | 第20页 |
·光谱法 | 第20-21页 |
·半导体材料GaAs 和GaN 的研究意义及研究进展 | 第21-22页 |
·本论文的主要内容及安排 | 第22-23页 |
参考文献 | 第23-28页 |
第二章 GaAs 等离子体发射谱的时间演化特性分析 | 第28-46页 |
·等离子体辐射机制 | 第28-29页 |
·实验装置和方法 | 第29-33页 |
·激光源 | 第30页 |
·光路 | 第30页 |
·光束接收处理系统 | 第30-31页 |
·信号处理系统 | 第31-33页 |
·结果和讨论 | 第33-44页 |
·连续谱的产生机制及时间演化 | 第33-35页 |
·特征谱线的时间演化 | 第35-40页 |
·激光能量对等离子体谱线相对强度的影响 | 第40-41页 |
·背景压强对等离子体谱线的影响 | 第41-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-46页 |
第三章 GaAs 等离子体电子温度和电子密度演化研究 | 第46-61页 |
·电子温度的诊断 | 第46-49页 |
·激光诱导GaAs 等离子体的电子温度测量 | 第49-51页 |
·电子密度的诊断 | 第51-52页 |
·激光诱导GaAs 等离子体的电子密度测量 | 第52-55页 |
·激光能量对等离子体电子温度、电子密度的影响 | 第55-57页 |
·等离子体电子温度、电子密度的空间分布 | 第57-58页 |
·局部热平衡(LTE)条件的验证及等离子体电子密度计算公式成立条件验证 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-61页 |
第四章 激光等离子体发射光谱谱线展宽和频移的实验分析 | 第61-79页 |
·谱线展宽的机制分析 | 第62-66页 |
·自然展宽 | 第62-63页 |
·多普勒展宽 | 第63-64页 |
·碰撞展宽 | 第64-65页 |
·仪器展宽 | 第65-66页 |
·激光诱导等离子体发射光谱中Ga 原子谱线展宽和频移分析 | 第66-74页 |
·Ga 原子谱线展宽分析 | 第67-70页 |
·Ga 原子谱线频移分析 | 第70-73页 |
·背景气体压强对Ga 原子谱线展宽和频移的影响 | 第73-74页 |
·多普勒频移 | 第74-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-79页 |
第五章 激光等离子体膨胀速度的实验理论研究 | 第79-90页 |
·等离子体膨胀速度的实验测量 | 第79-85页 |
·激光能量对等离子体膨胀速度的影响 | 第80-82页 |
·背景气压对等离子体膨胀速度的影响 | 第82-83页 |
·材料对等离子体膨胀速度的影响 | 第83-85页 |
·等离子体膨胀速度的理论计算 | 第85-88页 |
·理论模型 | 第86页 |
·计算结果与分析 | 第86-88页 |
·本章小结 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-90页 |
第六章 等离子体发射谱线自吸收现象分析及发射谱线的理论模拟 | 第90-106页 |
·自吸收现象的形成 | 第90-92页 |
·准分子激光诱导GaAs 等离子体发射光谱的自吸收现象 | 第92-97页 |
·激光源对等离子体发射谱线自吸收现象的影响 | 第94-96页 |
·背景气体压强对准分子诱导的GaAs 等离子体发射谱线自吸收现象的影响 | 第96-97页 |
·等离子体发射谱线的理论模拟 | 第97-104页 |
·光学薄等离子体 | 第98-101页 |
·光学厚等离子体 | 第101-104页 |
·本章小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-106页 |
第七章 结论 | 第106-109页 |
·总结 | 第106-107页 |
·展望 | 第107-109页 |
攻读博士学位期间完成的论文 | 第109-111页 |
致谢 | 第111页 |