| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 咔咯的性质和合成 | 第12-15页 |
| 1.1.1 咔咯的合成 | 第13-14页 |
| 1.1.2 咔咯的性质 | 第14-15页 |
| 1.2 铜咔咯的性质研究 | 第15-21页 |
| 1.2.1 咔咯金属配合物的性质和应用 | 第15-17页 |
| 1.2.2 铜咔咯的性质 | 第17-21页 |
| 1.3 π扩展铜咔咯合成 | 第21-24页 |
| 1.3.1 线性π扩展卟啉的合成 | 第21-23页 |
| 1.3.2 线性π扩展铜咔咯的合成 | 第23-24页 |
| 1.4. 分子自旋电子学研究 | 第24-29页 |
| 1.4.1 近藤效应 | 第24-27页 |
| 1.4.2 扫描隧道显微镜在近藤效应观测上的应用 | 第27页 |
| 1.4.3 卟啉和酞菁分子在分子自旋电子学中的应用 | 第27-29页 |
| 1.5. 本论文的研究意义及研究目的 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 π扩展铜咔咯的合成与表征 | 第33-88页 |
| 2.1 概述 | 第33-34页 |
| 2.2 铜咔咯的合成 | 第34-42页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第34-35页 |
| 2.2.2 化合物结构 | 第35-36页 |
| 2.2.3 铜咔咯合成方法 | 第36-42页 |
| 2.3 化合物的表征和分析 | 第42-85页 |
| 2.3.1 主要仪器 | 第42页 |
| 2.3.2 核磁共振 | 第42-47页 |
| 2.3.3 高分辨质谱表征 | 第47-51页 |
| 2.3.4 电子顺磁共振的表征和分析 | 第51-58页 |
| 2.3.5 电化学和光谱电化学的表征和分析 | 第58-62页 |
| 2.3.6 紫外可见吸收光谱的表征和分析 | 第62-70页 |
| 2.3.7 磁圆二色谱的表征分析和理论计算研究 | 第70-75页 |
| 2.3.8 晶体结构分析和理论计算研究 | 第75-85页 |
| 2.4 小结 | 第85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第三章 铜咔咯在自旋电子学中的应用 | 第88-108页 |
| 3.1 概述 | 第88-89页 |
| 3.2 仪器设置 | 第89-91页 |
| 3.2.1 STM和STS谱表征设置 | 第89页 |
| 3.2.2 Kondo分布图设置 | 第89页 |
| 3.2.3 理论计算方法 | 第89页 |
| 3.2.4 飞行时间-次级离子质谱分析 | 第89-91页 |
| 3.3 铜咔咯分子吸附于金(111)基底的表面成像 | 第91-93页 |
| 3.3.1 Cu-Benzo分子的表面成像 | 第91-92页 |
| 3.3.2 Cu-TPC分子的表面成像 | 第92-93页 |
| 3.4 铜咔咯的近藤共振和自旋电子学性能 | 第93-96页 |
| 3.4.1 扫描隧道谱测试近藤共振 | 第93-95页 |
| 3.4.2 铜咔咯的PDOS计算 | 第95-96页 |
| 3.5 理论计算及讨论 | 第96-104页 |
| 3.5.1 DFT计算结合晶体结构的讨论 | 第96-102页 |
| 3.5.2 近藤共振分布图 | 第102-104页 |
| 3.6 小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 结论 | 第108-109页 |
| 博士期间已发表的论文 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |