| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 研究内容 | 第15-18页 |
| 第二章 理论基础 | 第18-28页 |
| 2.1 密度泛函理论方法 | 第18-22页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第18-20页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第20页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第20-22页 |
| 2.2 近似密度泛函 | 第22-23页 |
| 2.2.1 局域密度近似（Local Density Approximation） | 第22-23页 |
| 2.2.2 广义梯度近似（Generalized Gradient Approximation） | 第23页 |
| 2.3 平面波基组和赝势 | 第23-24页 |
| 2.4 Z_2拓扑不变量与Wilson loop方法 | 第24-28页 |
| 第三章 氢化二维薄膜BiPb的量子自旋霍尔效应研究 | 第28-38页 |
| 3.1 氢化BiPb的能带结构与稳定性 | 第28-30页 |
| 3.2 氢化BiPb的Rashba自旋劈裂性质研究 | 第30-31页 |
| 3.3 氢化BiPb的量子拓扑性质调控 | 第31-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 卤化二维薄膜BiPb的量子自旋霍尔效应研究 | 第38-46页 |
| 4.1 卤化BiPb薄膜的电子性质研究 | 第38-40页 |
| 4.2 卤化BiPb的拓扑性质研究 | 第40-44页 |
| 4.3 应力及BN衬底对BiPb薄膜性质的影响 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 二维薄膜PbTe的拓扑晶体绝缘体性质研究 | 第46-56页 |
| 5.1 二维薄膜PbTe的结构稳定性 | 第46-47页 |
| 5.2 二维薄膜PbTe的电子能带结构研究 | 第47-50页 |
| 5.3 二维薄膜PbTe的拓扑晶体绝缘体性质 | 第50-52页 |
| 5.4 双轴及单轴应力对二维薄膜PbTe的性质调控 | 第52-53页 |
| 5.5 半导体衬底NaI对PbTe拓扑晶体绝缘体性质的影响 | 第53-54页 |
| 5.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 附录 | 第70-71页 |
