论文提要 | 第1-9页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
·团簇的定义 | 第9-10页 |
·团簇的发展现状 | 第10-12页 |
·硅锗团簇的研究进展 | 第12-14页 |
·论文课题选择,研究目的和研究内容 | 第14-17页 |
第二章 理论基础和计算方法 | 第17-41页 |
·Schr?dinger方程 | 第17-19页 |
·分子轨道理论 | 第19-23页 |
·闭壳层分子的Hartree-Fock-Roothann方程 | 第19-21页 |
·开壳层分子的Hartree-Fock-Roothann方程 | 第21-23页 |
·电子相关问题 | 第23-30页 |
·电子相关能 | 第23-24页 |
·组态相互作用(Configuration Interaction Method) | 第24-26页 |
·耦合簇方法(Coupled Cluster Method, CC) | 第26-28页 |
·微扰理论(M?ller-Plesset Perturbation Method) | 第28-30页 |
·密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT) | 第30-32页 |
·基组的选择 | 第32-34页 |
·遗传算法(Genetic Algorithm) | 第34页 |
·振动频率 | 第34-36页 |
·计算结果分析 | 第36-41页 |
·总能量 | 第36页 |
·稳定几何 | 第36-41页 |
第三章 Si_n(n =2–33)团簇的稳定性和解离行为的研究 | 第41-59页 |
·引言 | 第41-42页 |
·计算方法 | 第42-43页 |
·结果和讨论 | 第43-58页 |
·硅团簇Si_n (n =2 –33)的电子性质 | 第44-50页 |
·解离行为 | 第50-58页 |
·一步解离 | 第50-56页 |
·多步解离 | 第56-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第四章 锗团簇Ge_n (n =34 –39)的几何结构 | 第59-75页 |
·引言 | 第59-60页 |
·计算方法 | 第60-61页 |
·结果与讨论 | 第61-74页 |
·几何结构 | 第62-69页 |
·能量和电子性质 | 第69-74页 |
·本章小结 | 第74-75页 |
第五章 盘型结构锗团簇Ge_n (n = 40 –44) | 第75-87页 |
·引言 | 第75-76页 |
·计算方法 | 第76-77页 |
·结果与讨论 | 第77-85页 |
·几何结构 | 第78-82页 |
·能量和电子性质 | 第82-84页 |
·离子迁移率 | 第84-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
第六章 对比阳离子Si_n~+和Ge_n~+ (n = 2 –15)团簇的几何结构 | 第87-97页 |
·引言 | 第87-88页 |
·计算方法 | 第88-89页 |
·结果和讨论 | 第89-96页 |
·Si_(12)~+ | 第89-91页 |
·对比Ge_n~+与Si_n~+ (n = 2 –15)团簇的几何构型 | 第91-93页 |
·Ge_n~+ (n = 2 –15)的能量稳定性 | 第93-96页 |
·本章小结 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-128页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第128-129页 |
致谢 | 第129-130页 |
摘要 | 第130-133页 |
Abstract | 第133-136页 |