| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第12-24页 |
| 1.1 低维材料概述 | 第12-13页 |
| 1.2 硅锗材料简介 | 第13-15页 |
| 1.3 低维硅锗材料的研究进展 | 第15-22页 |
| 1.3.1 硅锗团簇 | 第15-18页 |
| 1.3.2 硅锗纳米线(带) | 第18-21页 |
| 1.3.3 硅薄膜 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要工作 | 第22-24页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第24-41页 |
| 2.1 密度泛函的基本理论 | 第24-28页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第24-27页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第27页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.2 紧束缚方法 | 第28-36页 |
| 2.2.1 布洛赫定理 | 第28-31页 |
| 2.2.2 紧束缚方法介绍 | 第31-35页 |
| 2.2.3 紧束缚方法的发展 | 第35-36页 |
| 2.3 遗传算法 | 第36-37页 |
| 2.4 模拟计算中的函数 | 第37-39页 |
| 2.4.1 结构稳定性函数 | 第37-38页 |
| 2.4.2 结构表征函数 | 第38-39页 |
| 2.5 Mulliken电荷集居数 | 第39-41页 |
| 第3章 硅锗团簇的结构、稳定性和电子性质研究 | 第41-61页 |
| 3.1 包含2～8原子的硅锗团簇研究 | 第41-53页 |
| 3.1.1 几何结构优化 | 第41-47页 |
| 3.1.2 与前期研究结果的对比 | 第47页 |
| 3.1.3 稳定性分析 | 第47-51页 |
| 3.1.4 电子性质分析 | 第51-53页 |
| 3.2 包含9原子的硅锗团簇研究 | 第53-60页 |
| 3.2.1 几何结构优化 | 第53-56页 |
| 3.2.2 稳定性分析 | 第56-57页 |
| 3.2.3 电子性质分析 | 第57-60页 |
| 3.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 硅锗纳米线(带)的结构和电荷分布研究 | 第61-88页 |
| 4.1 硅纳米线(带)的研究 | 第61-76页 |
| 4.1.1 初始结构的建立 | 第61-63页 |
| 4.1.2 原子排列结构分析 | 第63-70页 |
| 4.1.3 能量分析 | 第70-72页 |
| 4.1.4 Mulliken电荷集居数分析 | 第72-76页 |
| 4.2 锗纳米线(带)的研究 | 第76-87页 |
| 4.2.1 初始结构的建立 | 第76-77页 |
| 4.2.2 原子排列结构分析 | 第77-82页 |
| 4.2.3 能量分析 | 第82-84页 |
| 4.2.4 Mulliken电荷集居数分析 | 第84-87页 |
| 4.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 硅薄膜的表面结构和电荷分布研究 | 第88-111页 |
| 5.1 硅薄膜的研究 | 第88-97页 |
| 5.1.1 初始结构的建立 | 第88-90页 |
| 5.1.2 表面重构分析 | 第90-94页 |
| 5.1.3 重构表面的Mulliken电荷集居数分析 | 第94-97页 |
| 5.2 不同厚度硅薄膜表面的研究 | 第97-109页 |
| 5.2.1 表面重构分析 | 第97-105页 |
| 5.2.2 能量分析 | 第105页 |
| 5.2.3 重构表面的Mulliken电荷集居数分析 | 第105-109页 |
| 5.3 本章小结 | 第109-111页 |
| 第6章 结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 攻读学位期间发表和已录用论文情况 | 第121-122页 |
| 作者简历 | 第122页 |