| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 氧化物TFT的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的提出与工作内容 | 第14-16页 |
| 1.4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-24页 |
| 2.1 薄膜晶体管的特性 | 第17-21页 |
| 2.2 阳极氧化的基本原理 | 第21-23页 |
| 2.2.1 高电场传导理论 | 第21-22页 |
| 2.2.2 界面的基本反应 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 实验制备和薄膜表征 | 第24-34页 |
| 3.1 实验设备简介 | 第24-26页 |
| 3.1.1 电子束蒸发台的工作原理 | 第24-25页 |
| 3.1.2 Keithley2400测试平台 | 第25-26页 |
| 3.2 薄膜测试设备简介 | 第26-29页 |
| 3.2.1 台阶轮廓测试仪 | 第26页 |
| 3.2.2 X射线衍射分析仪(XRD) | 第26-27页 |
| 3.2.3 扫描电子显微镜(SEM)和能量色散光谱仪(EDS) | 第27-28页 |
| 3.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| 3.3 实验流程设计 | 第29-33页 |
| 3.3.1 实验材料的准备 | 第30-31页 |
| 3.3.2 薄膜的蒸镀 | 第31-32页 |
| 3.3.3 阳极氧化处理 | 第32页 |
| 3.3.4 退火处理、制备MIM结构及电学性能测试 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第34-66页 |
| 4.1 Mg掺杂浓度对Mg-Al合金薄膜质量的影响 | 第34-40页 |
| 4.1.1 镁蒸镀束流对薄膜表面形貌的影响 | 第34-38页 |
| 4.1.2 镁蒸镀束流对薄膜成分的影响 | 第38-39页 |
| 4.1.3 合金薄膜的结构分析 | 第39-40页 |
| 4.2 不同掺杂浓度合金薄膜的阳极氧化 | 第40-54页 |
| 4.2.1 氧化电流密度对薄膜形貌的影响 | 第42-49页 |
| 4.2.2 氧化电流密度对薄膜结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.3 氧化物薄膜的能谱分析 | 第51-52页 |
| 4.2.4 氧化电流密度对薄膜电学性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.3 不同Mg、Al原子比合金薄膜的氧化分析 | 第54-61页 |
| 4.3.1 不同原子比合金膜的氧化 | 第54-56页 |
| 4.3.2 不同原子比合金膜氧化后的性能表征 | 第56-58页 |
| 4.3.3 不同原子比合金膜氧化后的电学性能分析 | 第58-61页 |
| 4.4 退火工艺对氧化物薄膜质量的影响 | 第61-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第73页 |
