| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·氮化硅性质及主要应用 | 第11-16页 |
| ·物理性质及应用 | 第11-14页 |
| ·化学性质及应用 | 第14页 |
| ·微波透波材料及Si_3N_4 在天线罩制备中的应用 | 第14-16页 |
| ·CVD 法制备氮化硅薄膜的研究现状 | 第16-19页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD) | 第16页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第16-17页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第17-18页 |
| ·光化学气相沉积(Photo-CVD) | 第18-19页 |
| ·Si_3N_4 薄膜热处理研究现状 | 第19页 |
| ·CVI Si_3N_4 复合材料研究现状 | 第19-23页 |
| ·C/Si_3N_4 复合材料研究现状 | 第20-22页 |
| ·BN/Si_3N_4 复合材料研究现状 | 第22-23页 |
| ·多孔Si_3N_4、石英材料研究现状 | 第23-26页 |
| ·多孔陶瓷材料分类及制备方法 | 第23页 |
| ·多孔Si_3N_4 在天线罩方面应用的研究进展 | 第23-24页 |
| ·石英陶瓷材料在天线罩方面应用的研究进展 | 第24-26页 |
| ·项目来源、选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| ·项目来源 | 第26页 |
| ·选题依据 | 第26-27页 |
| ·主要研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 实验过程与研究方法 | 第28-36页 |
| ·Si_3N_4 材料的制备 | 第28-30页 |
| ·原料 | 第28页 |
| ·Si_3N_4 材料的制备工艺 | 第28-30页 |
| ·Si_3N_4 沉积速率的测定 | 第30页 |
| ·Si_3N_4 复合材料的力学性能测试 | 第30-31页 |
| ·Si_3N_4 涂层的纳米压入试验 | 第30-31页 |
| ·Si_3N_4 涂层的划痕试验 | 第31页 |
| ·Si_3N_4 复合材料的介电性能测试 | 第31页 |
| ·Si_3N_4 涂层的热处理性能测试 | 第31-32页 |
| ·Si_3N_4 涂层的循环热震试验 | 第32页 |
| ·RTP 处理对Si_3N_4 涂层的影响 | 第32页 |
| ·Si_3N_4 涂层高温处理后的结构演变 | 第32页 |
| ·Si_3N_4 涂层的差热分析 | 第32页 |
| ·C/Si_3N_4 复合材料烧蚀性能的测试 | 第32-33页 |
| ·成分及组织结构分析 | 第33-34页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第33页 |
| ·扫描电镜观察 | 第33-34页 |
| ·实验设备 | 第34-36页 |
| ·化学气相沉积设备 | 第34页 |
| ·其他实验设备 | 第34-36页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第36-61页 |
| ·Si_3N_4 涂层的硬度、结合力、抗热震及高温晶态结构、键合变化分析 | 第36-43页 |
| ·Si_3N_4 涂层的硬度 | 第36-37页 |
| ·Si_3N_4 涂层与基体的结合力 | 第37页 |
| ·Si_3N_4 涂层材料的物相及高温晶态结构演变分析 | 第37-39页 |
| ·Si_3N_4 涂层材料的抗热震性能分析 | 第39-41页 |
| ·沉积Si_3N_4 涂层的红外光谱分析 | 第41-43页 |
| ·多孔Si_3N_4 表面沉积Si_3N_4 涂层的介电性能分析 | 第43-47页 |
| ·BN/Si_3N_4 复合材料的结构及Si_3N_4 生长机制 | 第47-51页 |
| ·BN/Si_3N_4 复合材料沉积温度的确定 | 第47页 |
| ·沉积Si_3N_4 颗粒尺寸 | 第47-48页 |
| ·BN/Si_3N_4 复合材料的微观结构 | 第48-49页 |
| ·Si_3N_4 基体的生长机制 | 第49-51页 |
| ·C/Si_3N_4 复合材料结构及烧蚀机制 | 第51-61页 |
| ·C/Si_3N_4 复合材料的结构 | 第51-53页 |
| ·C/Si_3N_4 复合材料的烧蚀机制 | 第53-61页 |
| 第四章 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·全文工作总结 | 第61-62页 |
| ·后继工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第72页 |
