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高溶解性氮杂稠环化合物的合成与表征

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第10-36页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 有机半导体材料的应用第11-20页
        1.2.1 显示设备第11-12页
        1.2.2 太阳能电池第12-15页
        1.2.3 传感器第15-17页
        1.2.4 存储器第17-20页
    1.3 有机场效应晶体管的器件结构和分类第20-23页
        1.3.1 半导体中的几个基本物理概念第21页
        1.3.2 OFETs器件结构和工作模式第21-23页
    1.4 有机场效应材料的分类第23-35页
        1.4.1 聚合物场效应材料第23-27页
        1.4.2 小分子氮杂稠环化合物场效应材料第27-35页
    1.5 本论文的研究工作及意义第35-36页
第2章 几类氮杂稠环化合物的合成第36-52页
    2.1 引言第36页
    2.2 主要试剂与仪器第36-38页
        2.2.1 主要化学试剂第36-37页
        2.2.2 主要化学仪器第37-38页
    2.3 反应中间体及目标物的合成第38-51页
        2.3.1 基本原料的合成第38-41页
        2.3.2 目标分子的合成第41-43页
        2.3.3 化合物(2a、2b、2c、2d)的核磁1HNMR、13CNMR、FT-IR、UV-Vis第43-50页
        2.3.4 化合物2b的晶体结构分析第50-51页
    2.4 本章小结第51-52页
第3章 非TIPS取代二胺制备氮杂稠环化合物第52-60页
    3.1 反应原料的合成第52-53页
        3.1.1 Faust二酮的合成第52页
        3.1.2 2,1,3-苯并噻二唑-4,5-二胺的合成第52-53页
    3.2 实验合成部分第53-59页
        3.2.1 2,3-二氨基萘与3,5-二叔丁基-1,2-苯醌的缩合反应研究第53-54页
        3.2.2 Faust二酮与2,1,3-苯并噻二唑-4,5-二胺的缩合反应第54-55页
        3.2.3 化合物(3a、3b)的核磁1HNMR、13CNMR、FT-IR、UV-Vis第55-57页
        3.2.4 化合物3b的晶体结构分析第57-59页
    3.3 本章小结第59-60页
第4章 缩合反应底物的扩展及机理的讨论第60-68页
    4.1 萘二胺与2,3-己二酮的反应第60-61页
    4.2 蒽二胺与2,3-己二酮的反应第61-64页
        4.2.1 目标物的合成第61-62页
        4.2.2 化合物4b的表征谱图第62-64页
    4.3 关于碎裂化反应机理的探讨第64-66页
    4.4 探索性实验第66-67页
    4.5 本章小结第67-68页
结论与展望第68-70页
参考文献第70-80页
附录A 攻读学位期间发表的学术论文目录第80-81页
致谢第81页

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