摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第12-23页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 光催化技术概述 | 第13-15页 |
1.2.1 光催化反应原理 | 第13-14页 |
1.2.2 光催化技术的应用 | 第14-15页 |
1.3 半导体材料的改性方法 | 第15-18页 |
1.3.1 阳离子掺杂 | 第15-16页 |
1.3.2 阴离子掺杂 | 第16页 |
1.3.3 多元素共掺杂 | 第16-17页 |
1.3.4 半导体复合改性 | 第17页 |
1.3.5 染料敏化 | 第17-18页 |
1.4 钙钛矿型材料概述 | 第18-19页 |
1.4.1 钙钛矿型材料的简介 | 第18页 |
1.4.2 钙钛矿型材料的晶体结构 | 第18-19页 |
1.5 钛酸锶材料的研究现状 | 第19-21页 |
1.5.1 结构性能 | 第19-20页 |
1.5.2 生产方法及工艺流程 | 第20-21页 |
1.6 课题研究的意义和总结 | 第21-23页 |
第2章 第一性原理计算 | 第23-29页 |
2.1 引言 | 第23页 |
2.2 第一性原理概述 | 第23-26页 |
2.2.1 第一性原理的起源 | 第23-24页 |
2.2.2 凝聚态物理中的第一性原理 | 第24-26页 |
2.3 密度泛函理论 | 第26页 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第26页 |
2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第26页 |
2.4 第一性原理计算软件 | 第26-27页 |
2.4.1 MaterialsStudio | 第27页 |
2.4.2 VESTA | 第27页 |
2.5 MaterialsStudio-CASTEP模块介绍 | 第27-29页 |
第3章 掺杂调控SrTiO_3电子结构和光学性质 | 第29-40页 |
3.1 引言 | 第29-30页 |
3.2 计算模型与方法 | 第30-32页 |
3.3 计算结果与讨论 | 第32-38页 |
3.3.1 模型的几何结构 | 第32-33页 |
3.3.2 缺陷形成能 | 第33-34页 |
3.3.3 能带结构和态密度 | 第34-37页 |
3.3.4 光学性质 | 第37-38页 |
3.4 本章小结 | 第38-40页 |
第4章 单层MoS_2/SrTiO_3复合材料的电子性质和光学性质 | 第40-51页 |
4.1 引言 | 第40-41页 |
4.2 计算模型与方法 | 第41-42页 |
4.3 计算结果与讨论 | 第42-50页 |
4.3.1 复合半导体结构 | 第42-43页 |
4.3.2 电子结构 | 第43-46页 |
4.3.3 电荷转移与机理 | 第46-48页 |
4.3.4 光学性能 | 第48-50页 |
4.4 本章小结 | 第50-51页 |
结论与展望 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-64页 |
附录A 攻读硕士学位期间发表论文 | 第64-65页 |
致谢 | 第65页 |