多孔氮化镓半导体材料的可控制备及其性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 前言 | 第9页 |
| 1.2 半导体材料 | 第9-10页 |
| 1.3 GaN半导体材料 | 第10-15页 |
| 1.3.1 简介 | 第10页 |
| 1.3.2 GaN的外延生长衬底 | 第10-12页 |
| 1.3.3 GaN的外延生长方法 | 第12页 |
| 1.3.4 GaN的刻蚀工艺 | 第12-13页 |
| 1.3.5 GaN材料的应用 | 第13-14页 |
| 1.3.6 GaN的未来发展 | 第14-15页 |
| 1.4 选题的意义与研究内容 | 第15-16页 |
| 1.4.1 选题的意义 | 第15页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.5 实验材料及实验试剂 | 第16-17页 |
| 1.5.1 实验材料 | 第16页 |
| 1.5.2 实验试剂 | 第16-17页 |
| 1.6 实验设备及表征仪器 | 第17-19页 |
| 1.6.1 实验设备 | 第17-18页 |
| 1.6.2 表征仪器 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN的离子液体刻蚀剂选择与分析 | 第19-30页 |
| 2.1 不同阴离子对GaN刻蚀的影响 | 第20-23页 |
| 2.1.1 实验方法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 结果讨论 | 第21-23页 |
| 2.2 不同阳离子对GaN刻蚀的影响 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验方法 | 第23页 |
| 2.2.2 结果讨论 | 第23-25页 |
| 2.3 刻蚀时间对GaN刻蚀的影响 | 第25-28页 |
| 2.3.1 实验方法 | 第25页 |
| 2.3.2 结果讨论 | 第25-28页 |
| 2.4 刻蚀电压对GaN刻蚀的影响 | 第28-29页 |
| 2.4.1 实验方法 | 第28页 |
| 2.4.2 结果讨论 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 图形化湿法刻蚀GaN的探索与研究 | 第30-42页 |
| 3.1 铜网作掩模光电化学湿法刻蚀 | 第30-33页 |
| 3.1.1 实验方法 | 第30-31页 |
| 3.1.2 结果讨论 | 第31-33页 |
| 3.2 镀金膜作掩模光电化学湿法刻蚀 | 第33-35页 |
| 3.2.1 实验方法 | 第33页 |
| 3.2.2 结果讨论 | 第33-35页 |
| 3.3 镀金膜作掩模光化学湿法刻蚀 | 第35-37页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第35-36页 |
| 3.3.2 结果讨论 | 第36-37页 |
| 3.4 小球模板法刻蚀 | 第37-40页 |
| 3.4.1 实验方法 | 第37-39页 |
| 3.4.2 结果讨论 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 多孔GaN的性能研究 | 第42-50页 |
| 4.1 光致发光性能 | 第42-44页 |
| 4.1.1 结果讨论 | 第42-44页 |
| 4.2 光电流响应测试 | 第44-45页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第44页 |
| 4.2.2 结果讨论 | 第44-45页 |
| 4.3 表面增强拉曼散射 | 第45-49页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第46-47页 |
| 4.3.2 结果讨论 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 | 第57页 |
