| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 光电探测器的研究进展 | 第8-12页 |
| 1.1.1 红外探测器的研究进展 | 第8-10页 |
| 1.1.2 紫外探测器的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体光电二极管 | 第12-16页 |
| 1.2.1 PIN型光电二极管 | 第12-13页 |
| 1.2.2 雪崩光电二极管(APD) | 第13-14页 |
| 1.2.3 雪崩光电二极管的结构 | 第14-16页 |
| 1.3 仿真模型分析 | 第16-19页 |
| 1.3.1 带带隧穿(Band to band tunnel)模型 | 第17页 |
| 1.3.2 陷阱辅助隧穿(Trap-Assisted Tunnel)模型 | 第17-18页 |
| 1.3.3 碰撞离化(Impact Ionization)模型 | 第18-19页 |
| 1.3.4 光生载流子(Optical Generation)模型 | 第19页 |
| 1.4 本文的研究内容和安排 | 第19-21页 |
| 第二章 基于InGaAs/InAlAs材料APD的研究 | 第21-33页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 器件结构 | 第22页 |
| 2.3 模型和参数的选取 | 第22-25页 |
| 2.3.1 模型分析 | 第22-24页 |
| 2.3.2 仿真参数 | 第24-25页 |
| 2.4 仿真及优化 | 第25-32页 |
| 2.4.1 拟合结果 | 第25-26页 |
| 2.4.2 倍增层的仿真及优化 | 第26-30页 |
| 2.4.3 电荷层的仿真及优化 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于GaN材料APD的研究 | 第33-40页 |
| 3.1 GaN材料概述 | 第33页 |
| 3.2 器件结构与参数选取 | 第33-34页 |
| 3.3 仿真及优化 | 第34-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基于AlGaN材料APD的研究 | 第40-63页 |
| 4.1 基本原理 | 第40-43页 |
| 4.1.1 AlGaN材料 | 第40页 |
| 4.1.2 极化效应 | 第40-43页 |
| 4.2 SAM结构AlGaN APD | 第43-50页 |
| 4.2.1 器件结构 | 第43页 |
| 4.2.2 模型和参数的选取 | 第43-44页 |
| 4.2.3 仿真及优化 | 第44-50页 |
| 4.3 改进型SAM结构AlGaN APD | 第50-62页 |
| 4.3.1 器件结构 | 第50-51页 |
| 4.3.2 模型和参数的选取 | 第51页 |
| 4.3.3 仿真及优化 | 第51-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结及展望 | 第63-65页 |
| 5.1 成果总结 | 第63-64页 |
| 5.2 未来工作 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
