| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第17-39页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第17页 |
| 1.2 有机存储器件的研究现状 | 第17-22页 |
| 1.2.1 有机存储器件的结构 | 第18-21页 |
| 1.2.2 有机存储器件的I-V特性 | 第21-22页 |
| 1.3 聚合物存储材料研究现状 | 第22-30页 |
| 1.3.1 聚合物功能层材料 | 第22-26页 |
| 1.3.2 聚合物电存储模型及机理 | 第26-30页 |
| 1.4 聚酰亚胺基存储材料的研究进展 | 第30-36页 |
| 1.4.1 聚酰亚胺材料结构改性 | 第31-33页 |
| 1.4.2 聚酰亚胺材料共混改性 | 第33-36页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第36-39页 |
| 第2章 实验方法与样品制备 | 第39-47页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第39-40页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第39页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第39-40页 |
| 2.2 结构表征 | 第40-41页 |
| 2.2.1 XRD测试 | 第40页 |
| 2.2.2 FT-IR光谱测试 | 第40页 |
| 2.2.3 紫外吸收光谱测试 | 第40页 |
| 2.2.4 表面形貌及微观结构测试 | 第40-41页 |
| 2.2.5 SAXS测试 | 第41页 |
| 2.3 性能测试 | 第41-43页 |
| 2.3.1 介电谱测试 | 第41-42页 |
| 2.3.2 循环伏安测试 | 第42页 |
| 2.3.3 电双稳态测试 | 第42页 |
| 2.3.4 开关电流-时间关系测试 | 第42-43页 |
| 2.4 聚酰亚胺基复合薄膜制备 | 第43页 |
| 2.5 纺丝炭化MWNTs/PI复合薄膜制备 | 第43-45页 |
| 2.5.1 静电纺丝制备 | 第44页 |
| 2.5.2 纺丝炭化处理及薄膜制备 | 第44-45页 |
| 2.6 聚酰亚胺基存储器件制备 | 第45页 |
| 2.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 第3章 MWNTs/PI复合薄膜结构及阻变特性 | 第47-61页 |
| 3.1 MWNTs/PI复合薄膜相结构及表面形貌 | 第47-51页 |
| 3.1.1 复合薄膜相结构 | 第47-48页 |
| 3.1.2 复合薄膜分子价键 | 第48-50页 |
| 3.1.3 复合薄膜表面形貌 | 第50-51页 |
| 3.2 复合薄膜界面及微观结构表征 | 第51-54页 |
| 3.2.1 复合薄膜界面结构 | 第51-53页 |
| 3.2.2 复合薄膜微观结构 | 第53-54页 |
| 3.3 复合薄膜电学特性 | 第54-57页 |
| 3.3.1 复合薄膜介电性能 | 第54-55页 |
| 3.3.2 复合薄膜电导性能 | 第55-56页 |
| 3.3.3 复合薄膜循环伏安特性 | 第56-57页 |
| 3.4 MWNTs/PI存储器件阻变特性 | 第57-59页 |
| 3.5 MWNTs/PI存储器件电稳定性 | 第59-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 端基化MWNTs/PI复合薄膜结构及阻变特性 | 第61-85页 |
| 4.1 端基化MWNTs/PI复合薄膜结构特性 | 第61-68页 |
| 4.1.1 复合薄膜相结构 | 第61-62页 |
| 4.1.2 复合薄膜分子价键 | 第62-66页 |
| 4.1.3 复合薄膜表面形貌 | 第66-68页 |
| 4.2 端基化复合薄膜界面及微观结构表征 | 第68-72页 |
| 4.2.1 羟基化复合薄膜界面及微观结构 | 第68-70页 |
| 4.2.2 羧基化复合薄膜界面及微观结构 | 第70-72页 |
| 4.3 端基化MWNTs/PI复合薄膜电学特性 | 第72-78页 |
| 4.3.1 复合薄膜介电性能 | 第72-75页 |
| 4.3.2 复合薄膜电导性能 | 第75-76页 |
| 4.3.3 复合薄膜循环伏安特性 | 第76-78页 |
| 4.4 端基化MWNTs/PI存储器件阻变特性 | 第78-81页 |
| 4.4.1 羟基化存储器件阻变特性 | 第78-80页 |
| 4.4.2 羧基化存储器件阻变特性 | 第80-81页 |
| 4.5 端基化MWNTs/PI存储器件电稳定性 | 第81-83页 |
| 4.5.1 羟基化存储器电稳定性 | 第81-82页 |
| 4.5.2 羧基化存储器电稳定性 | 第82-83页 |
| 4.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 第5章 纺丝炭化PI/MWNTs薄膜结构及阻变特性 | 第85-107页 |
| 5.1 SC-PI/MWNTs复合薄膜结构特性 | 第85-92页 |
| 5.1.1 复合薄膜相结构 | 第85-87页 |
| 5.1.2 复合薄膜分子价键 | 第87-89页 |
| 5.1.3 复合薄膜表面形貌 | 第89-92页 |
| 5.2 纺丝炭化薄膜界面及微观结构表征 | 第92-95页 |
| 5.2.1 SC-MWNTs复合薄膜界面及微观结构 | 第92-94页 |
| 5.2.2 SC-MWNTs-OH复合薄膜界面及微观结构 | 第94-95页 |
| 5.3 纺丝炭化复合薄膜电学特性 | 第95-100页 |
| 5.3.1 复合薄膜介电性能 | 第95-97页 |
| 5.3.2 复合薄膜电导性能 | 第97-99页 |
| 5.3.3 复合薄膜循环伏安特性 | 第99-100页 |
| 5.4 纺丝炭化复合薄膜阻变特性 | 第100-103页 |
| 5.4.1 SC-MWNTs复合薄膜阻变特性 | 第101-102页 |
| 5.4.2 SC-MWNTs-OH复合薄膜阻变特性 | 第102-103页 |
| 5.5 SC-PI/MWNTs 及-OH 存储器件电稳定性 | 第103-106页 |
| 5.5.1 SC-MWNTs/PI存储器件电稳定性 | 第103-104页 |
| 5.5.2 SC-MWNTs-OH/PI存储器件电稳定性 | 第104-106页 |
| 5.6 本章小结 | 第106-107页 |
| 第6章 MWNTs/PI系列复合薄膜阻变特性机理 | 第107-133页 |
| 6.1 表面态对微观结构及性能影响 | 第107-110页 |
| 6.1.1 表面态对微观结构的影响 | 第107-109页 |
| 6.1.2 表面形态对电学性能的影响 | 第109-110页 |
| 6.2 表面态对分子轨道能级影响 | 第110-114页 |
| 6.2.1 最高和最低分子轨道能级计算 | 第110-111页 |
| 6.2.2 不同表面态分子轨道能级 | 第111-114页 |
| 6.3 表面态对I-V特性的影响 | 第114-117页 |
| 6.3.1 单能级型复合薄膜I-V特性 | 第114-115页 |
| 6.3.2 双能级型复合薄膜I-V特性 | 第115-116页 |
| 6.3.3 单双混合型复合薄膜I-V特性 | 第116-117页 |
| 6.4 表面态对界面结构及电荷传输影响 | 第117-130页 |
| 6.4.1 单能级界面结构与电荷传输机理 | 第117-121页 |
| 6.4.2 双能级界面结构与电荷传输机理 | 第121-125页 |
| 6.4.3 混合能级界面结构与电荷传输机理 | 第125-130页 |
| 6.5 表面态对复合薄膜负介电性能影响 | 第130-132页 |
| 6.6 本章小结 | 第132-133页 |
| 结论 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-147页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149页 |
