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基于自抗扰控制的溶液法晶体生长水浴温度控制系统研制与开发

中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
1 绪论第9-15页
    1.1 研究背景及意义第9页
    1.2 国内外晶体生长的发展及现状第9-10页
    1.3 温度测控技术的发展及研究现状第10-12页
        1.3.1 温度测量技术第10页
        1.3.2 温度控制技术第10-12页
    1.4 自抗扰控制技术的发展及应用第12-13页
    1.5 本文研究的主要内容第13页
    1.6 论文结构第13-15页
2 系统总体设计第15-23页
    2.1 晶体生长过程介绍第15-16页
    2.2 控制系统性能要求第16页
    2.3 系统方案设计第16-19页
        2.3.1 系统硬件方案分析第16-17页
        2.3.2 系统软件方案分析第17-19页
    2.4 控制系统模型建立第19-22页
    2.5 本章小结第22-23页
3 控制对象控制策略及仿真研究第23-39页
    3.1 传统PID控制第23-24页
        3.1.1 PID控制基本原理第23-24页
        3.1.2 数字PID控制算法第24页
    3.2 自抗扰控制理论第24-32页
        3.2.1 跟踪微分器(TD)第25-27页
        3.2.2 扩张状态观测器(ESO)第27-30页
        3.2.3 非线性误差反馈控制率(NLSEF)第30页
        3.2.4 ADRC控制器参数整定第30-31页
        3.2.5 时滞系统自抗扰控制器整体仿真第31-32页
    3.3 水浴温度ADRC控制器设计第32-35页
        3.3.1 线性状态观测器的设计第33-34页
        3.3.2 线性误差反馈律的设计第34-35页
    3.4 控制器仿真研究第35-38页
        3.4.1 被控对象在单位阶跃响应下的控制效果第36-37页
        3.4.2 被控对象在系统扰动时的控制效果第37-38页
    3.5 本章小结第38-39页
4 硬件系统设计第39-49页
    4.1 系统硬件总体结构第39页
    4.2 数据采集模块选型及设计第39-41页
        4.2.1 数据采集卡的选择第39-40页
        4.2.2 PCI-1711 数据采集卡简介第40-41页
    4.3 输入通道设备选型及设计第41-45页
        4.3.1 温度传感器选择第41-42页
        4.3.2 温度变送器选择第42-44页
        4.3.3 拉力传感器选择第44-45页
    4.4 输出通道设备选型及设计第45-47页
        4.4.1 直流可控电源选择第45页
        4.4.2 半导体制冷单元选择第45-46页
        4.4.3 固态继电器选择第46-47页
    4.5 本章小结第47-49页
5 软件系统设计第49-59页
    5.1 虚拟仪器与LabVIEW编程软件第49-50页
        5.1.1 虚拟仪器第49页
        5.1.2 LabVIEW软件简介第49-50页
    5.2 登录模块设计第50-51页
    5.3 设备标定及实验参数设置模块设计第51-52页
    5.4 实验状态检测模块设计第52-54页
    5.5 降温曲线计算与读入模块设计第54-56页
    5.6 控制算法模块设计第56-57页
    5.7 信号输出模块设计第57-58页
    5.8 数据保存模块设计第58页
    5.9 本章小结第58-59页
6 调试及实验结果分析第59-65页
    6.1 系统调试第59页
    6.2 温度采集实验第59-61页
        6.2.1 实验方法与仪器第59-60页
        6.2.2 实验结果分析第60-61页
    6.3 温度控制实验第61-63页
        6.3.1 实验方法与仪器第61页
        6.3.2 实验结果分析第61-63页
    6.4 系统整体运行实验第63页
    6.5 本章小结第63-65页
7 结论与展望第65-67页
    7.1 结论第65页
    7.2 展望第65-67页
致谢第67-69页
参考文献第69-73页
附录第73-76页
    A. 实验相关数据第73-75页
    B. 硬件电路图第75-76页
    C. 软件程序框图第76页

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