| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·碳纳米管概述 | 第9-10页 |
| ·碳纳米管的性能 | 第10-13页 |
| ·力学性能 | 第10-11页 |
| ·电学性能 | 第11-12页 |
| ·场发射性能 | 第12页 |
| ·储氢性能 | 第12-13页 |
| ·微波吸收性能 | 第13页 |
| ·阵列式碳纳米管的制备方法 | 第13-14页 |
| ·电弧法和过滤法 | 第13页 |
| ·溶胶-凝胶法和激光腐蚀法 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第14页 |
| ·CVD法制备碳纳米管生长机理 | 第14-16页 |
| ·顶部生长模型 | 第15页 |
| ·底部生长模型 | 第15页 |
| ·碳纳米管的生长过程 | 第15-16页 |
| ·本研究的内容和意义 | 第16-18页 |
| ·碳纳米管制备及应用研究领域存在的问题和不足 | 第16页 |
| ·本课题的研究意义 | 第16-17页 |
| ·本课题的研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验设备和实验方法 | 第18-23页 |
| ·实验设备和材料 | 第18-20页 |
| ·化学气相沉积法(CVD法)制备碳纳米管膜的设备 | 第18页 |
| ·碳纳米管膜转移至铝基底的设备 | 第18-19页 |
| ·场发射测试设备 | 第19页 |
| ·阵列式碳纳米管膜形貌检测设备 | 第19页 |
| ·实验材料 | 第19-20页 |
| ·实验方法 | 第20-23页 |
| ·碳纳米管膜的制备方法 | 第20-21页 |
| ·将碳纳米管膜转移至铝基底的方法 | 第21-22页 |
| ·盐酸处理碳纳米管膜的方法 | 第22页 |
| ·SEM表征碳纳米管的方法 | 第22页 |
| ·碳纳米管膜的场发射特性测试方法 | 第22-23页 |
| 第3章 阵列式碳纳米管膜的制备与工艺参数分析 | 第23-37页 |
| ·实验参数设置 | 第23-25页 |
| ·温度变量组设置 | 第23页 |
| ·催化剂加入量组设置 | 第23-24页 |
| ·氩气流量变量组设置 | 第24页 |
| ·反应时间变量组设置 | 第24-25页 |
| ·实验结果与分析 | 第25-35页 |
| ·两种不同注入方法的结果 | 第25-26页 |
| ·沉积温度变化对碳纳米管膜质量的影响 | 第26-30页 |
| ·催化剂的量对碳纳米管质量的影响 | 第30-32页 |
| ·氩气流量对碳纳米管质量的影响 | 第32-34页 |
| ·反应时间对碳纳米管质量的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 阵列式碳纳米管膜场发射特性测试与结果分析 | 第37-50页 |
| ·碳纳米管的场发射机理 | 第37-41页 |
| ·固体的电子发射机理 | 第37页 |
| ·金属的场发射理论 | 第37-40页 |
| ·碳纳米管的场发射机理 | 第40-41页 |
| ·碳纳米管场发射性能评价指标 | 第41-42页 |
| ·阵列式碳纳米管膜的场发射特性测试与结果分析 | 第42-49页 |
| ·未经表面处理的碳纳米管膜场发射性能测试 | 第42-44页 |
| ·用盐酸进行表面处理后的碳纳米管膜的场发射性能测试 | 第44-46页 |
| ·碳纳米管膜场发射特性比较及其结果分析 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 阵列式碳纳米管膜的转基底工艺及场发射性能研究 | 第50-61页 |
| ·石英基底转移至铝箔或铜箔及其场发射性能测试 | 第50-55页 |
| ·石英基底转移至未处理的铝箔或铜箔 | 第50-52页 |
| ·石英基底转移至预处理后的铜箔 | 第52-53页 |
| ·转移至预处理后铜箔基底的碳纳米管膜的场发射性能测试 | 第53-55页 |
| ·阵列式碳纳米管膜转移至锡基底及其场发射性能测试 | 第55-57页 |
| ·使用锡焊技术将铝箔基底上的CNT膜转移至铜基底工艺及其场发射性能测试 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第67页 |
