| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 氮化铜薄膜研究现状 | 第8-14页 |
| 1.1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.1.2 氮化铜薄膜结构特性 | 第9-10页 |
| 1.1.3 氮化铜薄膜研究进展 | 第10-12页 |
| 1.1.4 氮化铜薄膜应用研究进展 | 第12-14页 |
| 1.2 本课题的研究意义和内容 | 第14-16页 |
| 第二章 氮化铜薄膜的制备与表征 | 第16-27页 |
| 2.1 氮化铜制备方法概述 | 第16-19页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理 | 第16-18页 |
| 2.1.2 实验样品制备 | 第18-19页 |
| 2.2 制备条件对氮化铜薄膜的影响 | 第19-21页 |
| 2.3 元素掺杂对氮化铜薄膜的影响 | 第21-24页 |
| 2.3.1 非金属H掺杂 | 第21-22页 |
| 2.3.2 金属Zn掺杂 | 第22-23页 |
| 2.3.3 化合物WC与Cu_3N薄膜的复合 | 第23-24页 |
| 2.4 氮化铜薄膜性能表征概述 | 第24-26页 |
| 2.4.1 氮化铜薄膜性能的表征方法介绍 | 第24-26页 |
| 2.4.2 氮化铜薄膜表征数据分析 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 钒掺杂氮化铜薄膜的研究 | 第27-36页 |
| 3.1 钒掺杂氮化铜薄膜的意义 | 第27-28页 |
| 3.2 钒掺杂氮化铜薄膜样品制备与表征 | 第28-29页 |
| 3.2.1 实验样品制备 | 第28-29页 |
| 3.2.2 样品薄膜的表征 | 第29页 |
| 3.3 钒掺杂氮化铜薄膜的表征分析 | 第29-35页 |
| 3.3.1 薄膜成分分析 | 第29-30页 |
| 3.3.2 薄膜的晶体结构 | 第30-31页 |
| 3.3.3 薄膜的表面形貌 | 第31-33页 |
| 3.3.4 薄膜的光学特性 | 第33-34页 |
| 3.3.5 电阻率和显微硬度 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 铁、钴、镍掺杂氮化铜薄膜的研究 | 第36-45页 |
| 4.1 铁、钴、镍掺杂氮化铜薄膜的意义 | 第36-37页 |
| 4.2 铁、钴、镍掺杂氮化铜薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.1 实验样品的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.2 样品薄膜的表征 | 第38页 |
| 4.3 铁、钴、镍掺杂氮化铜薄膜的表征分析 | 第38-44页 |
| 4.3.1 样品薄膜的成分分析 | 第39-40页 |
| 4.3.2 样品的晶体结构对比分析 | 第40-41页 |
| 4.3.3 样品薄膜的表面形貌对比分析 | 第41-42页 |
| 4.3.4 样品薄膜的光波反射率对比分析 | 第42-43页 |
| 4.3.5 样品薄膜的电学性质的对比分析 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 基于氮化铜薄膜的电路板制作 | 第45-53页 |
| 5.1 基于氮化铜薄膜的电路板的研究与设计 | 第45-47页 |
| 5.1.1 电路板的结构 | 第46页 |
| 5.1.2 电路板的制造方法 | 第46-47页 |
| 5.2 基于氮化铜薄膜的双面多层电路板的研究与设计 | 第47-49页 |
| 5.2.1 双面多层电路板的结构 | 第48-49页 |
| 5.2.2 双面多层电路板的制作方法 | 第49页 |
| 5.3 一种基于氮化铜薄膜的柔性线路板制造方法 | 第49-51页 |
| 5.3.1 柔性线路板的结构 | 第50页 |
| 5.3.2 柔性线路板的制造方法 | 第50-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 总结概括 | 第53-54页 |
| 6.2 氮化铜薄膜未来研究探讨 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第58-59页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第59-60页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |