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金表面氧化和原子团簇的电子能谱研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 低配位原子第10-12页
    1.3 金的低配位体系第12-15页
        1.3.1 金表面和表面氧化第12-13页
        1.3.2 金原子团簇第13-15页
    1.4 研究现状第15-16页
    1.5 选题依据和主要内容第16-18页
第2章 理论基础和方法第18-30页
    2.1 引言第18页
    2.2 固体能带理论第18-21页
        2.2.1 体系哈密顿量第19页
        2.2.2 紧束缚近似第19-21页
    2.3 键弛豫理论第21-25页
        2.3.1 化学键收缩和势阱修正第21-22页
        2.3.2 键弛豫理论的数学形式第22-23页
        2.3.3 可测物理量的标识第23-25页
    2.4 光电子能谱分析方法第25-29页
        2.4.1 X射线光电子能谱(XPS)第25-28页
        2.4.2 选区标定光电子谱(ZPS)第28-29页
    2.5 小结第29-30页
第3章 金表面的芯能级偏移和氧化还原第30-38页
    3.1 引言第30-31页
    3.2 表面芯能级偏移的BOLS解释第31-33页
    3.3 金表面芯能级偏移第33-36页
    3.4 金表面氧化的ZPS分析第36-37页
    3.5 小结第37-38页
第4章 金原子团簇的能级偏移第38-43页
    4.1 引言第38-39页
    4.2 原子团簇能级偏移的BOLS解释第39页
    4.3 金原子团簇的ZPS分析第39-41页
    4.4 金原子团簇芯能级的尺寸效应第41-42页
    4.5 小结第42-43页
第5章 总结与展望第43-45页
    5.1 全文总结第43-44页
    5.2 工作展望第44-45页
参考文献第45-52页
致谢第52-53页
个人简历及在校期间发表学术论文与研究成果第53页

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