| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 太赫兹波概述 | 第10-12页 |
| 1.1.1 太赫兹波的特性 | 第10-11页 |
| 1.1.2 太赫兹波的相关应用 | 第11-12页 |
| 1.2 太赫兹探测技术 | 第12-14页 |
| 1.2.1 吸波涂层 | 第12-13页 |
| 1.2.2 吸波结构 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容及创新点 | 第14-16页 |
| 第二章 基本吸波理论及仿真测试方法 | 第16-27页 |
| 2.1 吸波材料和吸波结构 | 第16页 |
| 2.2 Salisbury屏吸波器的基本模型 | 第16-17页 |
| 2.3 Salisbury屏吸波器的吸波理论 | 第17-23页 |
| 2.3.1 传输矩阵法 | 第17-19页 |
| 2.3.2 传输线模型 | 第19-21页 |
| 2.3.3 多次反射理论 | 第21-23页 |
| 2.4 采用仿真计算软件 | 第23-24页 |
| 2.4.1 MATLAB软件 | 第23-24页 |
| 2.4.2 CST仿真软件 | 第24页 |
| 2.5 测试系统 | 第24-26页 |
| 2.5.1 傅里叶红外光谱仪 | 第24-25页 |
| 2.5.2 太赫兹时域光谱仪 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 DAST的合成、提纯与多晶薄膜的制备 | 第27-38页 |
| 3.1 DAST的合成与提纯 | 第27-29页 |
| 3.1.1 合成及提纯DAST的主要试剂及仪器 | 第27页 |
| 3.1.2 合成步骤 | 第27-29页 |
| 3.1.3 提纯步骤 | 第29页 |
| 3.2 DAST在太赫兹波段的性质 | 第29-34页 |
| 3.2.1 DAST的介电常数 | 第29-31页 |
| 3.2.2 DAST的折射率 | 第31-32页 |
| 3.2.3 DAST的吸收系数 | 第32页 |
| 3.2.4 DAST的交流电导率 | 第32-34页 |
| 3.3 DAST多晶薄膜的制备与表征 | 第34-36页 |
| 3.3.1 DAST多晶薄膜的制备工艺 | 第34页 |
| 3.3.2 沉积衬底对多晶薄膜形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3 DAST多晶薄膜的中红外光谱 | 第35-36页 |
| 3.3.4 DAST多晶薄膜的X射线衍射图谱 | 第36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 基于DAST的Salisbury屏吸波器的仿真、测试及特性分析 | 第38-51页 |
| 4.1 基于DAST的Salisbury屏吸波器的仿真与计算模型 | 第38-41页 |
| 4.1.1 TLM/TMM计算模型 | 第39页 |
| 4.1.2 CST仿真模型 | 第39-41页 |
| 4.2 基于DAST多晶薄膜的Salisbury屏吸波器的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 基于DAST单晶的Salisbury屏吸波器的仿真与计算结果 | 第42-49页 |
| 4.3.1 DAST单晶厚度对吸波性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.3.2 介质层厚度对吸波性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.3 F-P腔对吸波性能的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.4 入射角度对吸波性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.4 基于DAST多晶薄膜的Salisbury屏吸波器的测试与分析 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 间硝基苯胺的压电及太赫兹特性 | 第51-60页 |
| 5.1 mNA晶体结构 | 第51-52页 |
| 5.2 计算参数选取及晶格优化 | 第52-53页 |
| 5.3 mNA的非线性系数 | 第53-54页 |
| 5.4 mNA的压电特性 | 第54-58页 |
| 5.5 mNA的太赫兹光谱 | 第58-59页 |
| 5.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60-61页 |
| 6.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70页 |
