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60GHz射频前端集成技术分析与设计

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第14-18页
    1.1 60GHz通信概述第14-15页
    1.2 射频集成技术发展第15-16页
    1.3 目前发展态势第16-17页
    1.4 本文主要工作及技术难点第17页
    1.5 论文结构安排第17-18页
第二章 通信系统射频前端第18-46页
    2.1 射频前端发射机第18-19页
        2.1.1 直接变换式发射机第18页
        2.1.2 两步变换式发射机第18-19页
    2.2 射频前端接收机第19-25页
        2.2.1 超外差式接收机第19-22页
        2.2.2 零中频式接收机第22-24页
        2.2.3 低中频式接收机第24-25页
    2.3 60GHz集成化产品第25-28页
        2.3.1 V60TXWG3发射端第26-27页
        2.3.2 V60RXWG3接收端第27-28页
    2.4 60GHz通信射频前端设计和仿真第28-45页
        2.4.1 60GHz通信射频前端主要技术指标第28-29页
        2.4.2 60GHz通信射频前端结构第29-31页
        2.4.3 60GHz通信射频前端所用的器件第31-35页
        2.4.4 60GHz通信链路仿真第35-45页
    2.5 本章小结第45-46页
第三章 60GHz低噪声放大器设计方案第46-59页
    3.1 偏置电路第46页
    3.2 低噪声放大器的拓扑结构第46-49页
    3.3 低噪声放大器输入匹配第49-52页
    3.4 最小噪声和最大功率增益匹配第52-54页
    3.5 低功耗下的噪声优化第54-57页
    3.6 本章小结第57-59页
第四章 60GHz低噪声放大器的设计实例第59-87页
    4.1 CMOS工艺制备电阻第59-61页
    4.2 CMOS工艺制备电容第61-62页
    4.3 CMOS工艺制备电感第62-65页
    4.4 0.18μm工艺下的低噪声放大器设计第65-73页
        4.4.1 并联电阻匹配第67-69页
        4.4.2 串联-并联电阻匹配第69-70页
        4.4.3 源极电感负反馈匹配第70-72页
        4.4.4 小结第72-73页
    4.5 0.13μm工艺下的低噪声放大器设计第73-85页
        4.5.1 并联电阻匹配第73-75页
        4.5.2 串联-并联电阻匹配第75-76页
        4.5.3 源极电感负反馈匹配第76-78页
        4.5.4 级联改进增益第78-85页
    4.6 版图第85-86页
    4.7 本章小结第86-87页
第五章 总结和展望第87-88页
致谢第88-89页
参考文献第89-92页
个人简历第92-93页

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