铟化合物的制备及性能表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| ·半导体材料 | 第11-19页 |
| ·半导体材料的分类 | 第11-15页 |
| ·纳米半导体材料 | 第15-18页 |
| ·纳米半导体材料的应用 | 第18-19页 |
| ·砷化铟材料 | 第19-23页 |
| ·砷化铟材料的特性 | 第19-22页 |
| ·砷化铟材料的应用 | 第22-23页 |
| ·氧化铟材料 | 第23-26页 |
| ·氧化铟材料的特性 | 第23-25页 |
| ·氧化铟材料的应用 | 第25-26页 |
| ·水热/溶剂热法制备纳米材料简介 | 第26-31页 |
| ·水热法 | 第27-28页 |
| ·溶剂热法 | 第28-30页 |
| ·水热/溶剂热反应装置 | 第30页 |
| ·水热/溶剂热合成过程 | 第30-31页 |
| ·选题依据 | 第31-32页 |
| 第二章 实验原料、设备及性能表征方法 | 第32-38页 |
| ·实验原料 | 第32页 |
| ·实验仪器 | 第32-33页 |
| ·实验表征方法 | 第33-37页 |
| ·X 射线粉末衍射 | 第33页 |
| ·电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·电子衍射 | 第34页 |
| ·拉曼光谱 | 第34-35页 |
| ·红外光谱 | 第35-36页 |
| ·荧光光谱 | 第36-37页 |
| ·热分析 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 InAs 纳米颗粒的制备及性能表征 | 第38-45页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·样品制备 | 第38-39页 |
| ·样品表征 | 第39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-44页 |
| ·样品结构分析 | 第39-41页 |
| ·TEM 和HRTEM 分析 | 第41页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第41-42页 |
| ·反应过程分析 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 第四章 In_2O_3微纳结构的制备及性能表征 | 第45-60页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·In_2O_3 微米砖的制备及性能表征 | 第46-53页 |
| ·样品表征 | 第46页 |
| ·样品制备 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-53页 |
| ·In_2O_3 纳米聚集体的制备及性能表征 | 第53-58页 |
| ·样品表征 | 第53-54页 |
| ·样品制备 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论及展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |
