| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 光电解水产氢发展现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 光电解水的机理 | 第9-11页 |
| 1.2.2 光电解水光阴极 | 第11-12页 |
| 1.2.3 光电解水光阳极 | 第12-14页 |
| 1.3 CdS作为光电产氢光阳极的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3.1 CdS材料的基本性质 | 第14-16页 |
| 1.3.2 CdS作为光电产氢光阳极的现存问题 | 第16-17页 |
| 1.3.3 解决CdS光腐蚀问题的研究进展 | 第17页 |
| 1.4 光阳极表面钝化层 | 第17-19页 |
| 1.4.1 表面钝化层及其制备方法现状 | 第17-19页 |
| 1.4.2 CdIn_2S_4材料的基本性质 | 第19页 |
| 1.5 课题的提出及创新之处 | 第19-22页 |
| 1.5.1 课题的提出 | 第19-20页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第20页 |
| 1.5.3 创新之处 | 第20-22页 |
| 第2章 实验原料与装置 | 第22-28页 |
| 2.1 实验原料 | 第22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-24页 |
| 2.2.1 真空管式炉 | 第22-23页 |
| 2.2.2 磁控溅射仪 | 第23页 |
| 2.2.3 氙灯 | 第23页 |
| 2.2.4 超声波清洗仪 | 第23页 |
| 2.2.5 电子天平 | 第23页 |
| 2.2.6 移液枪 | 第23页 |
| 2.2.7 恒温磁力搅拌器 | 第23-24页 |
| 2.3 表征设备 | 第24-28页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第24页 |
| 2.3.3 X射线衍射(XRD) | 第24页 |
| 2.3.4 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.3.5 气相色谱仪 | 第25页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱测试仪(XPS) | 第25页 |
| 2.3.7 电化学阻抗谱分析 | 第25页 |
| 2.3.8 光电产氢测试方法 | 第25-28页 |
| 第3章 CdS@CdIn_2S_4纳米片阵列光阳极的制备及其性能研究 | 第28-45页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 实验方法 | 第29-31页 |
| 3.2.1 Cd纳米片阵列的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.2 CdS纳米片阵列的制备及优化处理 | 第30页 |
| 3.2.3 CdS@CdIn_2S_4纳米片阵列的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.4 CdIn_2S_4纳米片阵列的制备 | 第31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-44页 |
| 3.3.1 CdS及CdSCdIn_2S_4纳米片阵列的形貌物相表征 | 第31-36页 |
| 3.3.2 CdS及CdSCdIn_2S_4纳米片阵列的光电产氢性能 | 第36-38页 |
| 3.3.3 CdS@CdIn_2S_4光电性能提高的原因分析 | 第38-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 其他因素对于CdS光电产氢性能的影响 | 第45-54页 |
| 4.1 制备CdS@CdIn_2S_4NFAs的最佳交换温度 | 第45-47页 |
| 4.2 CdSNFAs模板对于CdS@CdIn_2S_4NFAs光电性能影响 | 第47-49页 |
| 4.3 二次退火对CdSNFAs光电性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 表面态电容对于CdS及CdS@CdIn_2S_4NFAs光电性能的影响 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 全文总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-65页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
