| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·氧化物过渡层材料的结构特点及性能 | 第11-15页 |
| ·BST 薄膜的结构特点及应用 | 第15-18页 |
| ·BST 薄膜的结构特点 | 第15-16页 |
| ·BST 薄膜的应用 | 第16-18页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第18-23页 |
| ·溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 | 第18-20页 |
| ·磁控溅射法 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第21-22页 |
| ·金属有机物化学热分解(MOD) | 第22页 |
| ·水热电化学法 | 第22页 |
| ·分子束外延法 | 第22-23页 |
| ·研究目的与意义 | 第23-24页 |
| ·试验内容 | 第24-25页 |
| 第二章 制备工艺及主要仪器 | 第25-31页 |
| ·主要原料 | 第25页 |
| ·试验所用仪器 | 第25-26页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第26-29页 |
| ·Si 基片的处理 | 第26页 |
| ·溶胶-凝胶成膜工艺过程 | 第26-27页 |
| ·影响溶胶-凝胶工艺的因素 | 第27-28页 |
| ·过渡层材料(LaSrCoO_3、Gd_2CuO_4)及BST 薄膜材料的制备工艺路线 | 第28-29页 |
| ·分析方法与性能测试 | 第29-31页 |
| ·XRD 分析 | 第30页 |
| ·SEM 分析 | 第30页 |
| ·电学性质测试 | 第30-31页 |
| 第三章 氧化物过渡层的制备及表征 | 第31-47页 |
| ·LSCO 过渡层的制备及性能研究 | 第31-38页 |
| ·不同x 值对La_(1-x)Sr_xCoO_3 薄膜结构及电阻率的影响 | 第31-33页 |
| ·溶胶配比对La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3 薄膜电阻率的影响 | 第33-34页 |
| ·热处理工艺对La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3 薄膜电阻率的影响 | 第34-38页 |
| ·Gd_2CuO_4 薄膜的制备及性能研究 | 第38-45页 |
| ·Gd_2CuO_4 薄膜的制备 | 第38-39页 |
| ·热处理工艺对Gd_2CuO_4 薄膜电阻率的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对Gd_2CuO_4 薄膜结构及电学性能的影响 | 第40-42页 |
| ·退火温度对Gd_2CuO_4 薄膜介电性能的影响 | 第42-43页 |
| ·微量元素对Gd_2CuO_4 薄膜介电性能的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 过渡层对BST 结构和介电性能的影响 | 第47-63页 |
| ·Pt 电极上BST 薄膜的制备与性能表征 | 第47-51页 |
| ·Pt 电极上不同Sr/Ba 比BST 薄膜的制备 | 第47页 |
| ·不同Ba/Sr 比BST 薄膜的结构分析 | 第47-48页 |
| ·SEM 分析 | 第48页 |
| ·不同Sr 含量Ba_(1-x_Sr_xTiO_3 的介电性能分析 | 第48-49页 |
| ·退火温度对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 薄膜结构与介电性能的影响 | 第49-51页 |
| ·LSCO 过渡层对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第51-55页 |
| ·LSCO/SiO_2/Si 衬底对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第51-52页 |
| ·LSCO/Pt/SiO_2/Si 衬底对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第52-53页 |
| ·Pt/LSCO/SiO_2/Si 衬底对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第53-55页 |
| ·不同位置LSCO 过渡层对BST 薄膜介电性能的影响比较 | 第55页 |
| ·Gd_2CuO_4(GCO)对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第55-60页 |
| ·GCO/SiO_2/Si 衬底对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第55-57页 |
| ·GCO/Pt/SiO_2/Si 衬底对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第57-58页 |
| ·Pt /GCO/SiO_2/Si 衬底对BST 薄膜结构和介电性能的影响 | 第58-59页 |
| ·不同位置GCO 过渡层对BST 薄膜介电性能的影响比较 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-63页 |
| 第五章 结论及展望 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·展望及需要解决的问题 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 附录 | 第75页 |
