| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 ZnO 的结构及性质 | 第10-12页 |
| 1.1.1 ZnO 的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 ZnO 的光学、电学和磁学性质 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO 纳米材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.2.1 光电探测器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 场发射器件 | 第13页 |
| 1.2.3 纳米传感器 | 第13页 |
| 1.2.4 纳米激光器 | 第13页 |
| 2 ZnO 纳米线的生长方法及表征技术 | 第13-24页 |
| 2.1 ZnO 纳米线的生长方法 | 第14-16页 |
| 2.1.1 水热法 | 第14页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 2.1.3 金属有机物化学气相沉积技术 | 第15页 |
| 2.1.4 分子束外延技术 | 第15-16页 |
| 2.1.5 脉冲激光沉积技术 | 第16页 |
| 2.2 ZnO 纳米线的表征技术 | 第16-24页 |
| 2.2.1 X 射线衍射 | 第16-17页 |
| 2.2.2 X 射线光电子能谱 | 第17-19页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第20页 |
| 2.2.5 光致发光测试 | 第20-21页 |
| 2.2.6 原子力显微镜 | 第21-24页 |
| 3 低温 CBD 方法制备 ZnO 纳米线 | 第24-35页 |
| 3.1 在 Si 和 GaAs 衬底上制备 ZnO 纳米结构过程 | 第24-30页 |
| 3.2 不同生长时间条件下制备 ZnO 纳米线 | 第30-31页 |
| 3.3 不同的溶液浓度条件下制备 ZnO 纳米线 | 第31-32页 |
| 3.4 Si 和 GaAs 衬底上形成的不同纳米结构原因 | 第32-33页 |
| 3.5 小结 | 第33-35页 |
| 4 籽晶层厚度对于 ZnO 纳米线的影响 | 第35-43页 |
| 4.1 改变 ZnO 籽晶层厚度制备 ZnO 纳米线 | 第35-38页 |
| 4.2 SEM 和 AFM 测试结果分析 | 第38-41页 |
| 4.3 小结 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
