| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 文献综述 | 第8-17页 |
| 1.1 取向硅钢的发展历程 | 第8-11页 |
| 1.1.1 国外电工钢的发展 | 第8-9页 |
| 1.1.2 国内电工钢的发展 | 第9-11页 |
| 1.2 取向硅钢的生产工艺 | 第11-12页 |
| 1.2.1 传统生产取向硅钢工艺 | 第11页 |
| 1.2.2 薄板坯连铸连轧生产硅钢工艺 | 第11-12页 |
| 1.3 晶粒长大与二次再结晶机理研究 | 第12-14页 |
| 1.3.1 正常晶粒长大与异常晶粒长大 | 第12-13页 |
| 1.3.2 二次再结晶机理 | 第13-14页 |
| 1.4 三维重构技术 | 第14-16页 |
| 1.4.1 三维重构技术简介 | 第14-15页 |
| 1.4.2 三维重构技术研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5 研究背景和研究内容 | 第16-17页 |
| 1.5.1 研究背景 | 第16页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验材料和研究方法 | 第17-21页 |
| 2.1 实验样品的制备 | 第17-19页 |
| 2.2 实验过程与实验方法 | 第19-21页 |
| 2.2.1 二维组织观察 | 第19-20页 |
| 2.2.2 三维重构 | 第20-21页 |
| 第3章 高温退火过程中异常长大Goss取向晶粒及“岛状”晶粒EBSD分析 | 第21-33页 |
| 3.1 异常长大Goss取向晶粒形貌特征 | 第21-23页 |
| 3.2 较大尺寸晶粒阻碍Goss取向晶粒的长大 | 第23-25页 |
| 3.3 特殊取向晶粒与Goss取向晶粒竞争长大 | 第25-26页 |
| 3.4 晶界迁移速率的影响 | 第26-31页 |
| 3.5 被动包裹形成“岛状”晶粒 | 第31-32页 |
| 3.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 较大尺寸“岛状”晶粒三维形貌表征 | 第33-46页 |
| 4.1 较大尺寸“岛状”晶粒三维形貌 | 第33-43页 |
| 4.1.1 典型大尺寸“岛状”晶粒三维形貌 | 第33-38页 |
| 4.1.2 其它类型大尺寸“岛状”晶粒三维形貌 | 第38-43页 |
| 4.2 分析与讨论 | 第43-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 其它类型“岛状”晶粒三维形貌表征 | 第46-55页 |
| 5.1 特殊取向“岛状”晶粒三维形貌 | 第46-49页 |
| 5.2 被动包裹“岛状”晶粒三维形貌 | 第49-53页 |
| 5.3 分析与讨论 | 第53-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第63页 |