| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 InGaAs 材料的发展历程及研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 In_xGa_(1-x)As材料概述 | 第11-12页 |
| 1.2.1 In_xGa_(1-x)As的晶体结构 | 第11页 |
| 1.2.2 In_xGa_(1-x)As材料及器件的优越性 | 第11-12页 |
| 1.3 InGaAs 材料外延生长技术 | 第12-15页 |
| 1.3.1 分子束外延(MBE)技术 | 第12-14页 |
| 1.3.2 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术 | 第14-15页 |
| 1.4 InGaAs 外延薄膜的生长模式 | 第15-16页 |
| 1.5 InGaAs 异质外延膜中的缺陷 | 第16-18页 |
| 1.5.1 异质外延生长薄膜的缺陷类型 | 第16-17页 |
| 1.5.2 异质外延生长薄膜中的位错 | 第17-18页 |
| 1.5.3 位错对 InGaAs 外延薄膜质量的影响 | 第18页 |
| 1.6 InGaAs 异质外延薄膜缓冲层的建立的必要性 | 第18-19页 |
| 1.7 本文研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第21-27页 |
| 2.1 样品制备 | 第21-22页 |
| 2.1.1 不同生长温度外延层样品的制备 | 第21页 |
| 2.1.2 不同缓冲层组分外延层样品的制备 | 第21-22页 |
| 2.1.3 不同缓冲层厚度上外延层样品的制备 | 第22页 |
| 2.2 显微结构的表征 | 第22-27页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜（TEM）样品的制备 | 第22-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第25页 |
| 2.2.3 利用 TEM 观察和分析 | 第25-27页 |
| 第三章 生长参数对缓冲层和外延层微结构的影响 | 第27-43页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 生长温度对外延层表面形貌和结晶质量的影响 | 第27-34页 |
| 3.2.1 生长温度对样品表面形貌的影响 | 第27-30页 |
| 3.2.2 生长温度对不同区域的位错密度的影响 | 第30-34页 |
| 3.3 缓冲层组分对外延层表面形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.4 缓冲层厚度对外延层显微结构的影响 | 第36-41页 |
| 3.4.1 不同缓冲层厚度样品截面位错形貌 | 第36-38页 |
| 3.4.2 不同缓冲层厚度样品位错密度 | 第38-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 In_xGa_(1-x)As/InP 失配体系位错显微结构研究 | 第43-59页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 TEM 观察 A、B、C 样品横截面上位错的形貌 | 第44-45页 |
| 4.3 TEM 观察 A 样品的微结构 | 第45页 |
| 4.4 位错的来源 | 第45-47页 |
| 4.5 位错类型分析 | 第47-51页 |
| 4.5.1 60°位错 | 第48-49页 |
| 4.5.2 Lomer 位错和层错 | 第49-51页 |
| 4.6 位错柏氏矢量的确定 | 第51-58页 |
| 4.6.1 柏氏矢量简介 | 第51-52页 |
| 4.6.2 位错柏氏矢量确定的方法 | 第52-54页 |
| 4.6.3 样品 H、I、J 位错柏氏矢量确定 | 第54-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
