| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 一维纳米材料的概述 | 第11-18页 |
| 1.1.1 一维纳米材料的介绍 | 第11页 |
| 1.1.2 一维纳米材料的制备方法 | 第11-15页 |
| 1.1.3 一维纳米材料的特性和应用 | 第15-18页 |
| 1.2 一维锗纳米线的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.2.1 一维锗纳米线合成与表征的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.2.2 一维锗纳米线应用的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.3 一维纳米材料场效应晶体管和非易失性存储器 | 第21-25页 |
| 1.3.1 场效应晶体管和非易失性存储器的介绍 | 第21-23页 |
| 1.3.2 一维纳米线场效应晶体管和存储器的研究介绍 | 第23-25页 |
| 1.4 本论文的研究意义和主要内容 | 第25-27页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第25-26页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验手段 | 第27-36页 |
| 2.1 实验手段介绍 | 第27-32页 |
| 2.1.1 锗纳米线合成与表征手段 | 第27-30页 |
| 2.1.2 锗纳米线非易失性存储器的制备手段 | 第30-31页 |
| 2.1.3 锗纳米线非易失性存储器的测试手段 | 第31-32页 |
| 2.2 锗纳米线器件的制备流程 | 第32-35页 |
| 2.2.1 锗纳米线的合成和表面处理 | 第32-33页 |
| 2.2.2 硅基片的清洗和锗线转移 | 第33页 |
| 2.2.3 光刻工艺 | 第33-34页 |
| 2.2.4 器件的后处理 | 第34-35页 |
| 2.3 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 锗纳米线的合成与表征研究 | 第36-47页 |
| 3.1 前言 | 第36-37页 |
| 3.2 锗纳米线的制备 | 第37-39页 |
| 3.2.1 锗纳米线的合成 | 第37-38页 |
| 3.2.2 锗纳米线生长机制的解释 | 第38-39页 |
| 3.3 锗纳米线的表征 | 第39-45页 |
| 3.3.1 锗纳米线的表面形貌表征 | 第39-42页 |
| 3.3.2 锗纳米线的晶体结构和化学成分表征 | 第42-44页 |
| 3.3.3 锗纳米线的表面稳定性的研究 | 第44-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于本征锗纳米线的非易失性存储器研究 | 第47-57页 |
| 4.1 前言 | 第47-48页 |
| 4.2 器件的制备 | 第48-49页 |
| 4.3 本征锗纳米线非易失性存储器的电学性能研究 | 第49-54页 |
| 4.3.1 本征锗纳米线存储器的器件结构与工作原理 | 第49-51页 |
| 4.3.2 本征锗纳米线存储器的电学性能 | 第51-54页 |
| 4.4 本征锗纳米线形貌、结构与表面化学态对器件性能影响的研究 | 第54-56页 |
| 4.4.1 本征锗纳米线的形貌与结构对器件性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.4.2 本征锗纳米线表面化学态对器件的影响 | 第55-56页 |
| 4.5 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 基于金属纳米颗粒-锗纳米线复合体的非易失性存储器研究 | 第57-67页 |
| 5.1 前言 | 第57-58页 |
| 5.2 锗纳米线表面附载金属颗粒 | 第58-62页 |
| 5.2.1 纳米线表面附载金纳米颗粒 | 第58-59页 |
| 5.2.2 纳米线表面附载银纳米颗粒 | 第59-61页 |
| 5.2.3 修饰后锗纳米线存储器的制备 | 第61-62页 |
| 5.3 金属附载后锗纳米线非易失性存储器的电学性能 | 第62-66页 |
| 5.3.1 附载金纳米颗粒后器件的电学性能 | 第62-64页 |
| 5.3.2 附载银纳米颗粒后器件的电学性能 | 第64-66页 |
| 5.3.3 两种器件电学性能的比较与分析 | 第66页 |
| 5.4 小结 | 第66-67页 |
| 第六章 全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-80页 |
| 攻读学位期间的科研成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
