| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-29页 |
| 1.1 超导材料简介 | 第14-15页 |
| 1.2 超导材料的分类 | 第15-17页 |
| 1.3 高温超导材料 | 第17-20页 |
| 1.3.1 Y-Ba-Cu-O系 | 第17-18页 |
| 1.3.2 Bi-Sr-Ca-Cu-O系 | 第18-19页 |
| 1.3.3 RE_(2-x)Ce_xCuO_(4-δ)(RE=Sm,Pr,Nd) | 第19-20页 |
| 1.4 高温超导材料的应用 | 第20-22页 |
| 1.4.1 弱电方面的应用 | 第20页 |
| 1.4.2 强电方面的应用 | 第20-22页 |
| 1.5 高温超导带材的发展 | 第22-27页 |
| 1.5.1 第一代秘系高温超导带材 | 第22页 |
| 1.5.2 第二代钇系高温超导带材 | 第22-27页 |
| 1.5.2.1 涂层导体的基底 | 第24页 |
| 1.5.2.2 涂层导体的缓冲层 | 第24-26页 |
| 1.5.2.3 涂层导体的超导层 | 第26页 |
| 1.5.2.4 涂层导体的制备方法 | 第26-27页 |
| 1.6 涂层导体研究现状 | 第27-28页 |
| 1.7 本章小结 | 第28-29页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第29-52页 |
| 2.1 外延生长机理 | 第29-33页 |
| 2.2 金属氧化的基本理论 | 第33-38页 |
| 2.2.1 金属氧化的基本过程 | 第33-34页 |
| 2.2.2 金属氧化热力学 | 第34-35页 |
| 2.2.3 氧化的动力学规律 | 第35-36页 |
| 2.2.4 晶界位置的氧化过程 | 第36-37页 |
| 2.2.5 影响氧化过程的因素 | 第37-38页 |
| 2.3 高温超导磁通钉扎效应 | 第38-39页 |
| 2.4 化学溶液沉积技术 | 第39-47页 |
| 2.4.1 采用的原料 | 第40页 |
| 2.4.2 涂敷技术 | 第40-41页 |
| 2.4.3 一般流程 | 第41-42页 |
| 2.4.4 凝胶的形成 | 第42页 |
| 2.4.5 有机物的去除 | 第42-43页 |
| 2.4.6 成相与结晶 | 第43-44页 |
| 2.4.7 薄膜的取向控制 | 第44-45页 |
| 2.4.8 CSD方法的分类 | 第45-47页 |
| 2.4.8.1 Sol-gel法 | 第45-46页 |
| 2.4.8.2 MOD法 | 第46页 |
| 2.4.8.3 Hybrid法 | 第46页 |
| 2.4.8.4 PA-CSD法 | 第46-47页 |
| 2.5 化学溶液沉积方法制备涂层导体 | 第47-51页 |
| 2.5.1 化学溶液沉积方法制备缓冲层 | 第47-48页 |
| 2.5.2 化学溶液沉积方法制备超导层 | 第48-51页 |
| 2.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 实验方案设计和表征手段 | 第52-60页 |
| 3.1 实验方案设计 | 第52-55页 |
| 3.1.1 单晶基底的选择 | 第52-53页 |
| 3.1.2 胶体的合成与制备 | 第53-54页 |
| 3.1.3 薄膜的涂覆 | 第54页 |
| 3.1.4 薄膜的热处理 | 第54-55页 |
| 3.2 表征手段 | 第55-59页 |
| 3.2.1 差热分析 | 第55页 |
| 3.2.2 晶体的结构与织构 | 第55-57页 |
| 3.2.3 样品的表面微结构与厚度 | 第57-58页 |
| 3.2.4 电输运性质 | 第58-59页 |
| 3.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 PA-CSD法制备涂层导体缓冲层 | 第60-111页 |
| 4.1 PA-CSD法制备涂层导体NiW/NiO/SmBiO_3/YBCO | 第60-79页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第60-63页 |
| 4.1.1.1 NiW/NiO为基础架构的涂层导体研究现状 | 第60-61页 |
| 4.1.1.2 新型REBiO_3缓冲层 | 第61-63页 |
| 4.1.2 NiO的自氧化外延 | 第63-71页 |
| 4.1.2.1 空气中自氧化外延制备NiO(200)缓冲层 | 第64-68页 |
| 4.1.2.2 氩气中自氧化外延制备NiO(200)缓冲层 | 第68-71页 |
| 4.1.3 PA-CSD法在LaAlO_3(LAO)单晶基底上制备SmBiO_3 | 第71-76页 |
| 4.1.3.1 PA-CSD法前驱体溶液的制备与热处理工艺 | 第72-73页 |
| 4.1.3.2 不同气氛下制备SmBiO_3缓冲层 | 第73-76页 |
| 4.1.4 PA-CSD法在NiW/NiO上制备SmBiO_3/YBCO | 第76-79页 |
| 4.2 PA-CSD法制备XZrO_3(X=Ba,Sr)缓冲层 | 第79-91页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第79页 |
| 4.2.2 PA-CSD法制备BaZrO_3缓冲层 | 第79-86页 |
| 4.2.2.1 PA-CSD法前驱体溶液的制备与热处理工艺 | 第79-80页 |
| 4.2.2.2 不同气氛下制备BaZrO_3缓冲层 | 第80-83页 |
| 4.2.2.3 不同高分子辅助CSD法制备BaZrO_3缓冲层 | 第83-86页 |
| 4.2.3 PA-CSD法制备SrZrO_3缓冲层 | 第86-91页 |
| 4.2.3.1 PA-CSD法前驱体溶液的制备与热处理工艺 | 第86页 |
| 4.2.3.2 不同气氛下制备SrZrO_3缓冲层 | 第86-90页 |
| 4.2.3.3 不同高分子辅助CSD法制备SrZrO_3缓冲层 | 第90-91页 |
| 4.3 PA-CSD法制备La2Zr2O_7缓冲层 | 第91-100页 |
| 4.3.1 研究背景 | 第91-92页 |
| 4.3.2 PA-CSD法前驱体溶液的制备与热处理工艺 | 第92-94页 |
| 4.3.3 结果与分析 | 第94-100页 |
| 4.4 PA-CSD法制备导电型缓冲层La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3缓冲层 | 第100-105页 |
| 4.4.1 研究背景 | 第100-102页 |
| 4.4.2 PA-CSD法前驱体溶液的制备与热处理工艺 | 第102-103页 |
| 4.4.3 结果与分析 | 第103-105页 |
| 4.5 涂层导体的发展趋势及新的涂层导体缓冲层的探索 | 第105-110页 |
| 4.6 本章小结 | 第110-111页 |
| 第5章 无氟PA-CSD法制备涂层导体超导层 | 第111-132页 |
| 5.1 无氟PA-CSD法制备EuBCO超导薄膜 | 第111-120页 |
| 5.1.1 PA-CSD法前驱体溶液的制备 | 第111-112页 |
| 5.1.2 EuBCO薄膜的热处理过程 | 第112-114页 |
| 5.1.3 结果与分析 | 第114-117页 |
| 5.1.4 EuBCO薄膜的成核与熔融工艺 | 第117-120页 |
| 5.2 无氟PA-CSD法制备YBCO薄膜的面外a-c轴取向生长初探 | 第120-124页 |
| 5.2.1 研究背景 | 第120-122页 |
| 5.2.2 无氟PA-CSD法制备YBCO薄膜的面外a-c轴取向生长初探 | 第122-124页 |
| 5.3 无氟PA-CSD法制备YBCO薄膜的面内0°与45°取向生长初探 | 第124-130页 |
| 5.3.1 研究背景 | 第124-128页 |
| 5.3.2 无氟PA-CSD法制备YBCO薄膜的面内0°与45°取向生长初探 | 第128-130页 |
| 5.4 本章小结 | 第130-132页 |
| 结论 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-150页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第150-151页 |
| 申请中国发明专利 | 第151页 |
