ZnTe/ZnSe一维纳米结构的制备和光学性能研究
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-29页 |
1.1 纳米科技的兴起及最新发展 | 第10-12页 |
1.1.1 纳米科技的兴起 | 第10-11页 |
1.1.2 纳米科技的最新进展 | 第11-12页 |
1.2 纳米材料与半导体纳米材料 | 第12-15页 |
1.2.1 纳米材料与半导体纳米材料概述 | 第12-13页 |
1.2.2 半导体纳米材料的奇异特性及应用 | 第13-15页 |
1.3 纳米光子学的研究内容及进展 | 第15-24页 |
1.3.1 纳米光波导 | 第16-18页 |
1.3.2 受激发射,纳米激光器 | 第18-20页 |
1.3.3 光子晶体 | 第20-21页 |
1.3.4 纳米线 LED | 第21-22页 |
1.3.5 太阳能电池 | 第22-24页 |
1.4 一维半导体纳米材料的制备方法 | 第24-27页 |
1.4.1 化学气相沉积法 | 第24页 |
1.4.2 气固生长法 | 第24-25页 |
1.4.3 水热法 | 第25页 |
1.4.4 分子束外延生长法 | 第25页 |
1.4.5 模板法 | 第25-26页 |
1.4.6 电化学沉积法 | 第26页 |
1.4.7 自组装法 | 第26-27页 |
1.5 本论文的研究背景、意义及研究内容 | 第27-29页 |
1.5.1 研究背景、意义 | 第27-28页 |
1.5.2 研究内容 | 第28-29页 |
第2章 实验装置与测试仪器 | 第29-34页 |
2.1 实验装置 | 第29-30页 |
2.2 测试仪器和原理 | 第30-34页 |
2.2.1 扫描电子显镜 (SEM) | 第30-31页 |
2.2.2 X 射线衍射 (XRD)仪 | 第31页 |
2.2.3 透射电子显微镜 (TEM) | 第31-32页 |
2.2.4 近场扫描光学显微镜 (NSOM) | 第32-34页 |
第3章 ZnTe 纳米结构 | 第34-42页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 实验过程 | 第35页 |
3.3 ZnTe 纳米线和纳米带 | 第35-40页 |
3.3.1 结构形貌和生长机理分析 | 第35-38页 |
3.3.2 发光光谱分析 | 第38-40页 |
3.4 其它特殊的 ZnTe 纳米结构 | 第40-41页 |
3.5 本章小结 | 第41-42页 |
第4章 ZnSe 纳米线和纳米带 | 第42-48页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 实验过程 | 第42-43页 |
4.3 结果与讨论 | 第43-47页 |
4.3.1 晶体结构和形貌分析 | 第43-45页 |
4.3.2 光致发光光谱分析 | 第45-46页 |
4.3.3 光波导分析 | 第46-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-48页 |
结论 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-60页 |
附录 A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第60-61页 |
致谢 | 第61页 |