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ZnTe/ZnSe一维纳米结构的制备和光学性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-29页
    1.1 纳米科技的兴起及最新发展第10-12页
        1.1.1 纳米科技的兴起第10-11页
        1.1.2 纳米科技的最新进展第11-12页
    1.2 纳米材料与半导体纳米材料第12-15页
        1.2.1 纳米材料与半导体纳米材料概述第12-13页
        1.2.2 半导体纳米材料的奇异特性及应用第13-15页
    1.3 纳米光子学的研究内容及进展第15-24页
        1.3.1 纳米光波导第16-18页
        1.3.2 受激发射,纳米激光器第18-20页
        1.3.3 光子晶体第20-21页
        1.3.4 纳米线 LED第21-22页
        1.3.5 太阳能电池第22-24页
    1.4 一维半导体纳米材料的制备方法第24-27页
        1.4.1 化学气相沉积法第24页
        1.4.2 气固生长法第24-25页
        1.4.3 水热法第25页
        1.4.4 分子束外延生长法第25页
        1.4.5 模板法第25-26页
        1.4.6 电化学沉积法第26页
        1.4.7 自组装法第26-27页
    1.5 本论文的研究背景、意义及研究内容第27-29页
        1.5.1 研究背景、意义第27-28页
        1.5.2 研究内容第28-29页
第2章 实验装置与测试仪器第29-34页
    2.1 实验装置第29-30页
    2.2 测试仪器和原理第30-34页
        2.2.1 扫描电子显镜 (SEM)第30-31页
        2.2.2 X 射线衍射 (XRD)仪第31页
        2.2.3 透射电子显微镜 (TEM)第31-32页
        2.2.4 近场扫描光学显微镜 (NSOM)第32-34页
第3章 ZnTe 纳米结构第34-42页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 实验过程第35页
    3.3 ZnTe 纳米线和纳米带第35-40页
        3.3.1 结构形貌和生长机理分析第35-38页
        3.3.2 发光光谱分析第38-40页
    3.4 其它特殊的 ZnTe 纳米结构第40-41页
    3.5 本章小结第41-42页
第4章 ZnSe 纳米线和纳米带第42-48页
    4.1 引言第42页
    4.2 实验过程第42-43页
    4.3 结果与讨论第43-47页
        4.3.1 晶体结构和形貌分析第43-45页
        4.3.2 光致发光光谱分析第45-46页
        4.3.3 光波导分析第46-47页
    4.4 本章小结第47-48页
结论第48-49页
参考文献第49-60页
附录 A (攻读学位期间所发表的学术论文目录)第60-61页
致谢第61页

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