| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 电介质材料 | 第11-15页 |
| 1.2.1 电介质材料概述 | 第11-12页 |
| 1.2.2 压控调谐介质薄膜材料 | 第12-14页 |
| 1.2.3 压控调谐介质薄膜材料的种类 | 第14-15页 |
| 1.3 BaSn_xTi_(1-x)O_3材料 | 第15-19页 |
| 1.3.1 钛酸钡的简介 | 第15-17页 |
| 1.3.2 锡钛酸钡的简介 | 第17页 |
| 1.3.3 锡钛酸钡的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4 课题的研究内容及意义 | 第19-22页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第19-20页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 制备技术及表征方法 | 第25-36页 |
| 2.1 前言 | 第25页 |
| 2.2 制备技术 | 第25-30页 |
| 2.2.1 磁控溅射沉积 | 第25-27页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积 | 第27-30页 |
| 2.3 表征方法 | 第30-35页 |
| 2.3.1 微观结构表征 | 第30-33页 |
| 2.3.2 电学性能测试 | 第33-34页 |
| 2.3.3 光学性能测试 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 氧压、衬底温度对BTS薄膜性能影响的研究 | 第36-57页 |
| 3.1 前言 | 第36页 |
| 3.2 实验过程 | 第36-38页 |
| 3.2.1 BTS陶瓷靶材的制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 BTS薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 3.2.3 BTS薄膜样品的表征 | 第38页 |
| 3.3 氧压对BTS薄膜的影响分析 | 第38-44页 |
| 3.3.1 氧压对BTS薄膜晶体结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 氧压对BTS薄膜微观形貌的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 氧压对BTS薄膜介电性能的影响 | 第40-44页 |
| 3.3.4 BTS薄膜的光学透过率 | 第44页 |
| 3.4 衬底温度对BTS薄膜的影响分析 | 第44-53页 |
| 3.4.1 衬底温度对BTS晶体结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 衬底温度对BTS薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.3 衬底温度对BTS薄膜介电性能的影响 | 第47-51页 |
| 3.4.4 衬底温度对BTS薄膜漏电流密度的影响 | 第51-52页 |
| 3.4.5 衬底温度对BTS薄膜铁电性能的影响 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第四章 退火温度对Pt/BTS/M薄膜器件介电性能影响的研究 | 第57-83页 |
| 4.1 前言 | 第57-58页 |
| 4.2 实验过程 | 第58-59页 |
| 4.2.1 BTS薄膜的制备及退火处理 | 第58-59页 |
| 4.2.2 退火处理后BTS薄膜样品的表征 | 第59页 |
| 4.3 退火温度对Pt/BTS/ITO薄膜器件的影响 | 第59-66页 |
| 4.3.1 退火温度对晶体结构的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.2 退火温度对微观形貌的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.3 退火温度对介电性能的影响 | 第62-66页 |
| 4.4 退火温度对Pt/BTS/FTO薄膜器件的影响 | 第66-72页 |
| 4.4.1 退火温度对晶体结构的影响 | 第66-67页 |
| 4.4.2 退火温度对微观形貌的影响 | 第67-68页 |
| 4.4.3 退火温度对介电性能的影响 | 第68-72页 |
| 4.5 退火温度对Pt/BTS/Pt薄膜器件的影响 | 第72-76页 |
| 4.5.1 退火温度对晶体结构的影响 | 第72-73页 |
| 4.5.2 退火温度对微观形貌的影响 | 第73-74页 |
| 4.5.3 退火温度对介电性能的影响 | 第74-76页 |
| 4.6 不同基底制备的BTS薄膜介电性能的比较 | 第76-78页 |
| 4.7 本章小结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 主要结论 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-85页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
