| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 透明导电半导体薄膜的应用背景和研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 掺杂ZnO薄膜的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 本论文的研究内容和创新点 | 第16-17页 |
| 第二章 AGZO薄膜样品的制备 | 第17-27页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| 2.1.1 蒸发镀膜技术 | 第17页 |
| 2.1.2 化学气相沉积 | 第17页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积 | 第17-18页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第18页 |
| 2.1.5 磁控溅射法 | 第18-21页 |
| 2.2 薄膜制备设备 | 第21-22页 |
| 2.3 AGZO薄膜的制备 | 第22-26页 |
| 2.3.1 基片的清洗 | 第23页 |
| 2.3.2 AGZO薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 2.3.3 实验参数设置 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 AGZO薄膜相关性能的测试表征方法 | 第27-33页 |
| 3.1 X射线衍射分析 | 第27-28页 |
| 3.2 扫描电子显微镜测试 | 第28页 |
| 3.3 原子力显微镜测试 | 第28-29页 |
| 3.4 EDS能谱测试 | 第29-30页 |
| 3.5 霍尔测试 | 第30-32页 |
| 3.6 紫外可见光分光光度计 | 第32页 |
| 3.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 AGZO薄膜的性能测试分析 | 第33-58页 |
| 4.1 Al靶溅射时间对AGZO薄膜性能的影响 | 第33-41页 |
| 4.1.1 Al靶溅射时间对AGZO薄膜晶体结构和成分的影响 | 第33-37页 |
| 4.1.2 Al靶溅射时间对AGZO薄膜光学性能的影响 | 第37页 |
| 4.1.3 Al靶溅射时间对AGZO薄膜电学性能的影响 | 第37-39页 |
| 4.1.4 Al靶溅射时间对AGZO薄膜残余应力的影响 | 第39-41页 |
| 4.2 Al靶溅射功率对AGZO薄膜性能的影响 | 第41-49页 |
| 4.2.1 Al靶溅射功率对AGZO薄膜晶体结构和成分的影响 | 第41-45页 |
| 4.2.2 Al靶溅射功率对AGZO薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.3 Al靶溅射功率对AGZO薄膜电学性能的影响 | 第46-48页 |
| 4.2.4 Al靶溅射功率对AGZO薄膜残余应力的影响 | 第48-49页 |
| 4.3 GZO靶溅射功率对薄膜性能的影响 | 第49-57页 |
| 4.3.1 GZO靶溅射功率对AGZO薄膜晶体结构和成分的影响 | 第50-53页 |
| 4.3.2 GZO靶溅射功率对AGZO薄膜样品光学性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.3 GZO靶溅射功率对AGZO薄膜电学性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.4 GZO靶溅射功率对AGZO薄膜残余应力的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 退火的对AGZO薄膜性能的影响 | 第58-73页 |
| 5.1 退火对AGZO薄膜晶体结构的影响 | 第59-65页 |
| 5.2 退火对AGZO薄膜残余应力的影响 | 第65-66页 |
| 5.3 退火对AGZO薄膜光学性能的影响 | 第66-67页 |
| 5.4 退火对AGZO薄膜电学性能的影响 | 第67-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第81-82页 |
