| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 论文选题背景及研究意义 | 第12-13页 |
| 1.2 热端部件表面温度测量的国内外研究历史与现状 | 第13-24页 |
| 1.2.1 传统热电偶法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 示温漆法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 红外辐射测温法 | 第17-19页 |
| 1.2.4 薄膜热电偶法 | 第19-22页 |
| 1.2.5 其它温度测量方法 | 第22-24页 |
| 1.3 论文的选题依据和研究内容 | 第24-27页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第24-25页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 过渡层薄膜及绝缘层薄膜的制备研究 | 第27-46页 |
| 2.1 NiCrAlY过渡层薄膜的制备及研究 | 第27-39页 |
| 2.1.1 溅射工艺对NiCrAlY薄膜表面形貌的影响 | 第28-33页 |
| 2.1.2 NiCrAlY薄膜的真空析铝及氧化性能研究 | 第33-36页 |
| 2.1.3 NiCrAlY薄膜表面镀铝对高温氧化行为的影响 | 第36-39页 |
| 2.2 氧化铝绝缘层的制备及性能研究 | 第39-42页 |
| 2.3 绝缘层高温绝缘性能测试 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 镍基高温合金表面的K型薄膜热电偶制备及性能研究 | 第46-70页 |
| 3.1 薄膜热电偶的标定 | 第47-56页 |
| 3.1.1 热电效应 | 第47-50页 |
| 3.1.2 热电偶的四个基本定律 | 第50-53页 |
| 3.1.3 薄膜热电偶标定方法 | 第53-54页 |
| 3.1.4 薄膜热电偶标定系统 | 第54-56页 |
| 3.2 K型薄膜热电偶的制备工艺 | 第56-59页 |
| 3.2.1 NiCr和NiSi薄膜的制备 | 第56-58页 |
| 3.2.2 退火工艺对NiCr和NiSi薄膜电阻率的影响 | 第58-59页 |
| 3.3 K型薄膜热电偶热电性能的影响因素 | 第59-63页 |
| 3.3.1 退火工艺对K型薄膜热电偶热电性能的影响 | 第59-61页 |
| 3.3.2 薄膜厚度对K型薄膜热电偶热电性能的影响 | 第61-63页 |
| 3.4 优化工艺制备的K型薄膜热电偶 | 第63-66页 |
| 3.5 在叶片表面制备K型薄膜热电偶及性能考核 | 第66-69页 |
| 3.6 本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 镍基高温合金表面的S型薄膜热电偶制备及性能研究 | 第70-88页 |
| 4.1 S型薄膜热电偶的制备工艺 | 第70-76页 |
| 4.1.1 Pt和PtRh薄膜的制备 | 第71-72页 |
| 4.1.2 退火工艺对Pt和PtRh薄膜微观结构和电阻率的影响 | 第72-76页 |
| 4.2 退火工艺对S型薄膜热电偶热电性能的影响 | 第76-78页 |
| 4.3 S型薄膜热电偶寿命影响因素的分析 | 第78-83页 |
| 4.4 优化工艺制备的S型薄膜热电偶 | 第83-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 镍基高温合金表面的陶瓷薄膜热电偶制备及性能研究 | 第88-111页 |
| 5.1 ITO薄膜的制备工艺 | 第89-98页 |
| 5.1.1 ITO薄膜的制备 | 第89-92页 |
| 5.1.2 退火工艺对ITO薄膜微观结构和薄膜电阻率的影响 | 第92-98页 |
| 5.2 ITO/Pt薄膜热电偶的热电特性 | 第98-103页 |
| 5.3 ITO:N薄膜的制备及性能研究 | 第103-108页 |
| 5.4 叶片表面制备的薄膜热电偶的冷效试验考核 | 第108-109页 |
| 5.5 本章小结 | 第109-111页 |
| 第六章 结论、创新点与展望 | 第111-115页 |
| 6.1 主要结论 | 第111-113页 |
| 6.2 主要创新点 | 第113-114页 |
| 6.3 展望 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-124页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第124-125页 |
