| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 光催化简介 | 第7-10页 |
| 1.1.1 光催化反应原理 | 第7-8页 |
| 1.1.2 光催化剂存在的问题 | 第8页 |
| 1.1.3 光催化剂的改性 | 第8-9页 |
| 1.1.4 光催化剂的应用 | 第9-10页 |
| 1.2 Zn_2SnO_4纳米材料的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2.1 纳米Zn_2SnO_4的性质 | 第10页 |
| 1.2.2 Zn_2SnO_4的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.2.3 Zn_2SnO_4的应用 | 第11页 |
| 1.3 g-C_3N_4的研究现状 | 第11-19页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的发展 | 第11-12页 |
| 1.3.2 g-C_3N_4的合成及性能研究 | 第12-15页 |
| 1.3.3 g-C_3N_4的功能化 | 第15-16页 |
| 1.3.4 g-C_3N_4纳米复合材料对于人工光合作用与环境保护的光催化的应用 | 第16-19页 |
| 1.4 论文的选题依据 | 第19-20页 |
| 1.5 论文研究的主要内容和技术路线 | 第20-21页 |
| 1.5.1 论文研究的主要内容 | 第20页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方法和仪器 | 第21-25页 |
| 2.1 催化剂制备 | 第21-22页 |
| 2.1.1 实验试剂和仪器 | 第21-22页 |
| 2.1.2 催化剂的制备 | 第22页 |
| 2.2 催化剂的表征 | 第22-23页 |
| 2.2.1 XRD测试 | 第22页 |
| 2.2.2 傅里叶红外光谱（FT-IR） | 第22页 |
| 2.2.3 扫描电镜（SEM） | 第22页 |
| 2.2.4 透射电镜（TEM） | 第22-23页 |
| 2.2.5 荧光光谱（PL） | 第23页 |
| 2.2.6 光电流响应测试 | 第23页 |
| 2.2.7 紫外-可见漫反射吸收光谱（UV-vis-DRS） | 第23页 |
| 2.3 光催化降解实验 | 第23-25页 |
| 2.3.1 光催化反应装置 | 第23-24页 |
| 2.3.2 光催化反应的步骤 | 第24页 |
| 2.3.3 光催化活性物种捕获实验的步骤 | 第24-25页 |
| 第三章 Zn_2SnO_4和g-C_3N_4的制备及优选 | 第25-42页 |
| 3.1 Zn_2SnO_4和g-C_3N_4的制备 | 第25页 |
| 3.1.1 Zn_2SnO_4的制备 | 第25页 |
| 3.1.2 g-C_3N_4的制备 | 第25页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第25-41页 |
| 3.2.1 正丁胺作沉淀剂制备Zn_2SnO_4 | 第25-28页 |
| 3.2.2 氢氧化钠作沉淀剂制备Zn_2SnO_4 | 第28-31页 |
| 3.2.3 水合肼作沉淀剂制备Zn_2SnO_4 | 第31-34页 |
| 3.2.4 三乙胺作沉淀剂制备Zn_2SnO_4 | 第34-37页 |
| 3.2.5 四丁基氢氧化铵作沉淀剂制备Zn_2SnO_4 | 第37-38页 |
| 3.2.6 Zn_2SnO_4的优选 | 第38-39页 |
| 3.2.7 g-C_3N_4的优选 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Zn_2SnO_4/g-C_3N_4催化剂的制备及表征 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 Zn_2SnO_4/g-C_3N_4催化剂的制备 | 第42页 |
| 4.3 Zn_2SnO_4/g-C_3N_4催化剂的表征 | 第42-49页 |
| 4.3.1 XRD表征 | 第42-43页 |
| 4.3.2 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)表征 | 第43-45页 |
| 4.3.3 电镜表征 | 第45页 |
| 4.3.4 荧光光谱(PL)表征 | 第45-46页 |
| 4.3.5 光电流响应实验 | 第46-47页 |
| 4.3.6 紫外-可见漫反射(UV-Vis)表征 | 第47页 |
| 4.3.7 光催化活性的表征 | 第47-49页 |
| 4.4 Zn_2SnO_4/g-C_3N_4复合半导体催化剂光催化降解RhB机理研究 | 第49-51页 |
| 4.4.1 Zn_2SnO_4/g-C_3N_4的光催化活性物种捕获实验 | 第49-50页 |
| 4.4.2 Zn_2SnO_4/g-C_3N_4光催化降解RhB的反应机理 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 附录 | 第62页 |
