CdZnTe多晶与非晶膜的制备及物理性能的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 CdZnTe薄膜的制备 | 第13-16页 |
| 1.2.1 真空蒸发法 | 第13-14页 |
| 1.2.2 近空间升华法 | 第14页 |
| 1.2.3 磁控溅射法 | 第14-16页 |
| 1.3 碲锌镉探测器 | 第16-20页 |
| 1.3.1 CdZnTe的性质 | 第16-17页 |
| 1.3.2 CdZnTe探测器的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3.3 CdZnTe探测器的结构 | 第19页 |
| 1.3.4 国内外研究现状及应用 | 第19-20页 |
| 1.4 本课题的研究内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第20页 |
| 1.4.2 研究步骤 | 第20-21页 |
| 1.4.3 创新之处 | 第21-22页 |
| 第二章 CdZnTe多晶薄膜的制备及其性能表征 | 第22-38页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第22-23页 |
| 2.2 工艺参数的设计 | 第23页 |
| 2.3 溅射功率对薄膜的影响 | 第23-28页 |
| 2.4 溅射气压对薄膜的影响 | 第28-31页 |
| 2.5 溅射时间变化对薄膜的影响 | 第31-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 CdZnTe非晶薄膜的制备及其性能表征 | 第38-52页 |
| 3.1 非晶态半导体薄膜 | 第38-42页 |
| 3.1.1 非晶态半导体 | 第38页 |
| 3.1.2 非晶态半导体的导电机理 | 第38-40页 |
| 3.1.3 非晶态半导体薄膜 | 第40-42页 |
| 3.2 非晶CdZnTe工艺参数设计 | 第42-43页 |
| 3.3 工艺参数对薄膜的影响 | 第43-49页 |
| 3.3.1 结构与成分分析 | 第43-45页 |
| 3.3.2 表面形貌分析 | 第45-46页 |
| 3.3.3 光学性能分析 | 第46-47页 |
| 3.3.4 拉曼光谱分析 | 第47-48页 |
| 3.3.5 电学性能分析 | 第48-49页 |
| 3.4 小结 | 第49-52页 |
| 第四章 CdZnTe厚膜的制备 | 第52-60页 |
| 4.1 CdZnTe厚膜的制备工艺 | 第52-54页 |
| 4.2 厚膜的测试分析 | 第54-59页 |
| 4.2.1 厚膜的结构与成分分析 | 第54-55页 |
| 4.2.2 厚膜的表面形貌分析 | 第55-56页 |
| 4.2.3 紫外光谱分析 | 第56-57页 |
| 4.2.4 厚度及溅射速率分析 | 第57-58页 |
| 4.2.5 厚膜的I-V曲线分析 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第68-70页 |
| 作者和导师简介 | 第70-72页 |
| 附件 | 第72-73页 |
