| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 插图索引 | 第10-11页 |
| 附表索引 | 第11-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究的历史、发展水平和存在的问题 | 第12-16页 |
| 1.2 研究的重要性、研究意义以及应用情况 | 第16-17页 |
| 1.3 主要工作及论文的组织结构 | 第17-20页 |
| 第2章 带隙基准源基本原理 | 第20-33页 |
| 2.1 基准源的技术指标 | 第20-22页 |
| 2.1.1 温度系数 TC（Temperature coeffocient） | 第20页 |
| 2.1.2 电源抑制比 | 第20-21页 |
| 2.1.3 噪声 | 第21页 |
| 2.1.4 电源电压的功耗 | 第21页 |
| 2.1.5 精度 | 第21页 |
| 2.1.6 建立时间 | 第21-22页 |
| 2.2 带隙基准源的基本原理 | 第22-25页 |
| 2.3 传统的带隙基准电压源的介绍 | 第25-28页 |
| 2.3.1 Widlar 带隙基电压准源 | 第25-26页 |
| 2.3.2 Kuijk 带隙基电压准源 | 第26-27页 |
| 2.3.3 Brokaw 带隙基准电压源 | 第27-28页 |
| 2.4 影响带隙基准性能的因素 | 第28-31页 |
| 2.4.1 运放失调的影响 | 第28-29页 |
| 2.4.2 PNP 管的β和欧姆电阻的影响 | 第29页 |
| 2.4.3 电流镜失配引入的误差 | 第29-30页 |
| 2.4.4 PNP 管集电极面积比的误差 | 第30页 |
| 2.4.5 电阻匹配误差的影响 | 第30-31页 |
| 2.5 带隙基准源的温度补偿 | 第31-32页 |
| 2.5.1 利用电阻的温度特性的曲率补偿方法 | 第31页 |
| 2.5.2 指数温度补偿方法 | 第31页 |
| 2.5.3 利用 VBE 线性进行温度补偿 | 第31页 |
| 2.5.4 几种温度补偿方法的比较 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 带隙基准源的设计 | 第33-44页 |
| 3.1 带隙基准电压源的整体结构 | 第33页 |
| 3.2 零温度系数电路 | 第33-36页 |
| 3.3 反馈电路 | 第36-37页 |
| 3.4 运算放大器的设计 | 第37-42页 |
| 3.5 启动电路的设计 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 带隙基准电压源的仿真 | 第44-48页 |
| 4.1 温度特性仿真 | 第45-46页 |
| 4.2 输出基准电压仿真 | 第46-47页 |
| 4.3 电源抑制比仿真 | 第47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 带隙基准电压源版图设计及后仿真 | 第48-60页 |
| 5.1 设计规则 | 第48-49页 |
| 5.1.1 间距规则(space rule) | 第48页 |
| 5.1.2 宽度规则(width rule) | 第48-49页 |
| 5.1.3 交叠规则(Overlap rule) | 第49页 |
| 5.2 版图设计需要考虑的因素 | 第49-55页 |
| 5.2.1 匹配性考虑 | 第49-51页 |
| 5.2.2 减小耦合问题 | 第51-52页 |
| 5.2.3 电阻电容的问题 | 第52页 |
| 5.2.4 隔离与屏蔽 | 第52-53页 |
| 5.2.5 CMOS 工艺版图设计存在的效应以及解决办法 | 第53-55页 |
| 5.3 版图设计总体流程 | 第55页 |
| 5.3.1 估算芯片面积 | 第55页 |
| 5.3.2 采用 Top－Down 设计流程 | 第55页 |
| 5.4 带隙基准的版图 | 第55-57页 |
| 5.4.1 三极管的版图设计 | 第55-56页 |
| 5.4.2 运算放大器的版图设计 | 第56页 |
| 5.4.3 整体电路版图 | 第56-57页 |
| 5.5 版图后仿真结果 | 第57-58页 |
| 5.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66页 |