| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-18页 |
| 1.1 辐射环境 | 第5-6页 |
| 1.2 业界现有文献综述 | 第6-8页 |
| 1.3 本研究的意义及安排 | 第8-10页 |
| 1.4 闪存的基本介绍 | 第10-16页 |
| 1.4.1 闪存的类型和基本结构 | 第10-12页 |
| 1.4.2 闪存的功能简介 | 第12-15页 |
| 1.4.3 单层单元SLC和多层单元MLC | 第15-16页 |
| 1.5 电离辐射的基本介绍 | 第16-18页 |
| 第二章 实验准备 | 第18-28页 |
| 2.1 实验用芯片简介 | 第18-19页 |
| 2.2 试验用闪存测试仪器简介 | 第19-22页 |
| 2.3 X-RAY设备和预备理论 | 第22-24页 |
| 2.4 实验设计 | 第24-26页 |
| 福射剂量的选择 | 第24-25页 |
| 实验步骤设计 | 第25-26页 |
| 2.5 实验结果分析方法简介 | 第26-28页 |
| 第三章 试验结果及分析 | 第28-38页 |
| 3.1 不同X-RAY辐射剂量对不同存储数据的影响 | 第28-31页 |
| 3.2 烘烤对辐射后的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 辐射后产品的可靠性 | 第33-34页 |
| 3.4 不同叠层的芯片受到一定剂量的辐射后的状况 | 第34-35页 |
| 3.5 不同的产品受到相同剂量辐射后的差异性状况分析 | 第35-36页 |
| 3.6 实验小结 | 第36-38页 |
| 第四章 辐射效应和机制 | 第38-48页 |
| 4.1 总剂量效应 | 第38-41页 |
| 4.2 总剂量效应的产生过程 | 第41-44页 |
| 4.3 总剂量效应的产生机制 | 第44-47页 |
| 4.4 辐射防护 | 第47-48页 |
| 第五章 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |