| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展及应用 | 第8-11页 |
| 1.3 薄膜晶体管的基本结构和工作原理 | 第11-16页 |
| 1.4 硅基薄膜晶体管 | 第16-17页 |
| 1.5 氧化物薄膜晶体管研究现状综述 | 第17-25页 |
| 1.5.1 国内外研究的现状 | 第17-20页 |
| 1.5.2 薄膜晶体管介质层材料 | 第20-24页 |
| 1.5.3 电极材料 | 第24-25页 |
| 1.6 本论文的研究意义和研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 非晶氧化物薄膜晶体管的制备与表征方法 | 第27-41页 |
| 2.1 制备方法 | 第27-33页 |
| 2.1.1 直流反应磁控溅射制备铝栅电极 | 第27-28页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法原理 | 第28-30页 |
| 2.1.3 旋涂法制备介质层与沟道层 | 第30页 |
| 2.1.4 真空热蒸发法制备铝源漏电极 | 第30-32页 |
| 2.1.5 脉冲等离子体沉积技术制备IWO电极 | 第32-33页 |
| 2.2 氧化物薄膜晶体管的表征方法 | 第33-41页 |
| 2.2.1 薄膜厚度以及表面形貌的测试 | 第33-35页 |
| 2.2.2 薄膜结晶性及组分测试 | 第35-36页 |
| 2.2.3 薄膜光学性能测试 | 第36-37页 |
| 2.2.4 薄膜电学性能测试 | 第37-39页 |
| 2.2.5 薄膜晶体管电学性能测试 | 第39-41页 |
| 第三章 溶液法制备介质层的研究 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 氧化铝薄膜与PVP薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 3.3 氧化铝介质层与PVP介质层的晶体结构及表面形貌 | 第42-43页 |
| 3.4 氧化铝介质层光学性能研究 | 第43-44页 |
| 3.5 氧化铝介质层与PVP介质层电学性能的比较 | 第44-45页 |
| 3.6 TFT器件的性能比较 | 第45-48页 |
| 3.7 介质层厚度的研究 | 第48-50页 |
| 3.8 不同退火温度制备氧化铝介质层的研究 | 第50-51页 |
| 3.9 本章总结 | 第51-53页 |
| 第四章 溶液法制备非晶铟锌氧化物沟道层的研究 | 第53-63页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 IZO沟道层薄膜的制备 | 第53页 |
| 4.3 IZO沟道层薄膜的性能分析 | 第53-57页 |
| 4.3.1 IZO薄膜的结晶性,表面形貌及组分分析 | 第53-55页 |
| 4.3.2 IZO薄膜制备温度的研究 | 第55-56页 |
| 4.3.3 溶液中铟锌比例对TFF性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 Mo:IZO薄膜及晶体管性能分析 | 第57-62页 |
| 4.4.1 IZMO薄膜性能分析 | 第57-60页 |
| 4.4.2 IZMO-TFTs电学性能分析 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 IWO透明电极的探究 | 第63-68页 |
| 5.1 透明电极 | 第63页 |
| 5.2 薄膜制备方法 | 第63-64页 |
| 5.3 IWO薄膜的晶体结构分析 | 第64页 |
| 5.4 实验参数对薄膜光电性能的影响 | 第64-67页 |
| 5.5 本章总结 | 第67-68页 |
| 第六章 全文总结 | 第68-70页 |
| 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 附录 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第77-78页 |