摘要 | 第8-11页 |
ABSTRACT | 第11-14页 |
第一章 绪论 | 第17-42页 |
1.1 引言 | 第17-18页 |
1.2 太阳能的利用 | 第18-19页 |
1.3 硅基太阳电池效率的提高 | 第19-24页 |
1.3.1 减少光学损失 | 第20-22页 |
1.3.2 减少电学损失 | 第22-24页 |
1.4 硅纳米结构 | 第24-33页 |
1.4.1 光学特性─陷光效应和光吸收增加效应 | 第25-28页 |
1.4.2 理论模拟 | 第28-31页 |
1.4.3 载流子收集 | 第31-32页 |
1.4.4 存在问题 | 第32-33页 |
1.5 本论文的选题背景和研究内容 | 第33-35页 |
参考文献 | 第35-42页 |
第二章 太阳电池性能表征 | 第42-56页 |
2.1 太阳电池IV特性 | 第42-44页 |
2.2 太阳电池制备过程的测试手段 | 第44-48页 |
2.3 有效少子寿命τ_(eff)测试原理 | 第48-50页 |
2.4 太阳电池模拟软件PC1D | 第50-54页 |
2.4.1 物理模型 | 第50-53页 |
2.4.2 数值解 | 第53-54页 |
2.5 时域有限差分方法FDTD | 第54页 |
2.6 本章小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-56页 |
第三章 MACE反应机理及形貌调控 | 第56-74页 |
3.1 引言 | 第56页 |
3.2 MACE方法的反应机理 | 第56-61页 |
3.2.1 历史背景和基本现象 | 第56-57页 |
3.2.2 反应机理 | 第57-58页 |
3.2.3 空穴注入机理及贵金属的作用 | 第58-59页 |
3.2.4 硅原子氧化溶解过程 | 第59-60页 |
3.2.5 反应全过程 | 第60-61页 |
3.3 硅纳米结构形貌控制 | 第61-69页 |
3.3.1 反应溶剂的影响 | 第61-67页 |
3.3.2 酸/碱修饰的影响 | 第67-68页 |
3.3.3 掩膜的影响 | 第68-69页 |
3.4 本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
第四章 不同介质钝化对硅纳米线太阳电池性能的影响 | 第74-104页 |
4.1 引言 | 第74-77页 |
4.2 实验部分 | 第77-79页 |
4.2.1 硅纳米线的制备 | 第77页 |
4.2.2 硅纳米线太阳电池制备过程 | 第77-79页 |
4.2.3 材料和器件的表征 | 第79页 |
4.3 结果与讨论 | 第79-98页 |
4.3.1 形貌表征 | 第79-81页 |
4.3.2 钝化效果 | 第81-82页 |
4.3.3 光学性能 | 第82-84页 |
4.3.4 PC1D拟合IQE曲线 | 第84-87页 |
4.3.5 载流子复合情况 | 第87-92页 |
4.3.6 电池性能 | 第92-98页 |
4.4 本章小结 | 第98-99页 |
参考文献 | 第99-104页 |
第五章 形貌调控对多晶硅纳米结构太阳电池性能的影响 | 第104-134页 |
5.1 引言 | 第104-109页 |
5.2 实验部分 | 第109-112页 |
5.2.1 硅纳米孔和硅纳米线结构的制备 | 第109-110页 |
5.2.2 硅纳米结构太阳电池制备过程 | 第110页 |
5.2.3 材料和器件的表征 | 第110-112页 |
5.3 硅纳米孔结构太阳电池的结果与讨论 | 第112-123页 |
5.3.1 调控表面积 | 第112-114页 |
5.3.2 光学性能 | 第114-116页 |
5.3.3 载流子复合情况 | 第116-120页 |
5.3.4 电池性能 | 第120-123页 |
5.4 硅纳米孔结构和硅纳米线太阳电池的比较与讨论 | 第123-128页 |
5.4.1 表面形貌 | 第123-125页 |
5.4.2 光学性能 | 第125-127页 |
5.4.3 载流子复合情况 | 第127-128页 |
5.4.4 电学性能 | 第128页 |
5.5 本章小结 | 第128-130页 |
参考文献 | 第130-134页 |
第六章 总结与展望 | 第134-137页 |
6.1 结论 | 第134-136页 |
6.2 创新点 | 第136页 |
6.3 展望 | 第136-137页 |
致谢 | 第137-138页 |
完成论文目录 | 第138页 |