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硅纳米结构在太阳电池中的应用

摘要第8-11页
ABSTRACT第11-14页
第一章 绪论第17-42页
    1.1 引言第17-18页
    1.2 太阳能的利用第18-19页
    1.3 硅基太阳电池效率的提高第19-24页
        1.3.1 减少光学损失第20-22页
        1.3.2 减少电学损失第22-24页
    1.4 硅纳米结构第24-33页
        1.4.1 光学特性─陷光效应和光吸收增加效应第25-28页
        1.4.2 理论模拟第28-31页
        1.4.3 载流子收集第31-32页
        1.4.4 存在问题第32-33页
    1.5 本论文的选题背景和研究内容第33-35页
    参考文献第35-42页
第二章 太阳电池性能表征第42-56页
    2.1 太阳电池IV特性第42-44页
    2.2 太阳电池制备过程的测试手段第44-48页
    2.3 有效少子寿命τ_(eff)测试原理第48-50页
    2.4 太阳电池模拟软件PC1D第50-54页
        2.4.1 物理模型第50-53页
        2.4.2 数值解第53-54页
    2.5 时域有限差分方法FDTD第54页
    2.6 本章小结第54-55页
    参考文献第55-56页
第三章 MACE反应机理及形貌调控第56-74页
    3.1 引言第56页
    3.2 MACE方法的反应机理第56-61页
        3.2.1 历史背景和基本现象第56-57页
        3.2.2 反应机理第57-58页
        3.2.3 空穴注入机理及贵金属的作用第58-59页
        3.2.4 硅原子氧化溶解过程第59-60页
        3.2.5 反应全过程第60-61页
    3.3 硅纳米结构形貌控制第61-69页
        3.3.1 反应溶剂的影响第61-67页
        3.3.2 酸/碱修饰的影响第67-68页
        3.3.3 掩膜的影响第68-69页
    3.4 本章小结第69-70页
    参考文献第70-74页
第四章 不同介质钝化对硅纳米线太阳电池性能的影响第74-104页
    4.1 引言第74-77页
    4.2 实验部分第77-79页
        4.2.1 硅纳米线的制备第77页
        4.2.2 硅纳米线太阳电池制备过程第77-79页
        4.2.3 材料和器件的表征第79页
    4.3 结果与讨论第79-98页
        4.3.1 形貌表征第79-81页
        4.3.2 钝化效果第81-82页
        4.3.3 光学性能第82-84页
        4.3.4 PC1D拟合IQE曲线第84-87页
        4.3.5 载流子复合情况第87-92页
        4.3.6 电池性能第92-98页
    4.4 本章小结第98-99页
    参考文献第99-104页
第五章 形貌调控对多晶硅纳米结构太阳电池性能的影响第104-134页
    5.1 引言第104-109页
    5.2 实验部分第109-112页
        5.2.1 硅纳米孔和硅纳米线结构的制备第109-110页
        5.2.2 硅纳米结构太阳电池制备过程第110页
        5.2.3 材料和器件的表征第110-112页
    5.3 硅纳米孔结构太阳电池的结果与讨论第112-123页
        5.3.1 调控表面积第112-114页
        5.3.2 光学性能第114-116页
        5.3.3 载流子复合情况第116-120页
        5.3.4 电池性能第120-123页
    5.4 硅纳米孔结构和硅纳米线太阳电池的比较与讨论第123-128页
        5.4.1 表面形貌第123-125页
        5.4.2 光学性能第125-127页
        5.4.3 载流子复合情况第127-128页
        5.4.4 电学性能第128页
    5.5 本章小结第128-130页
    参考文献第130-134页
第六章 总结与展望第134-137页
    6.1 结论第134-136页
    6.2 创新点第136页
    6.3 展望第136-137页
致谢第137-138页
完成论文目录第138页

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