摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-12页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 低噪声放大器的研究现状 | 第8-9页 |
1.3 抗阻塞低噪声放大器的研究现状 | 第9-10页 |
1.4 研究内容以及设计指标 | 第10-11页 |
1.5 章节安排 | 第11-12页 |
第2章 低噪声放大器基础 | 第12-26页 |
2.1 引言 | 第12页 |
2.2 噪声分类以及噪声系数 | 第12-17页 |
2.2.1 热噪声 | 第12-13页 |
2.2.2 散弹噪声 | 第13页 |
2.2.3 闪烁噪声 | 第13-14页 |
2.2.4 噪声系数 | 第14页 |
2.2.5 二端口网络噪声系数 | 第14-17页 |
2.3 S参数 | 第17-18页 |
2.4 低噪声放大器的功能和基本指标 | 第18-19页 |
2.4.1 LNA的基本功能 | 第18-19页 |
2.4.2 LNA的设计指标 | 第19页 |
2.5 低噪声放大器中的基本器件 | 第19-25页 |
2.5.1 电感 | 第19-21页 |
2.5.2 电容 | 第21-22页 |
2.5.3 电阻 | 第22-23页 |
2.5.4 MOS晶体管 | 第23-25页 |
2.6 低噪声放大器的设计流程 | 第25页 |
2.7 小结 | 第25-26页 |
第3章 宽带低噪声放大器的设计与仿真分析 | 第26-48页 |
3.1 引言 | 第26页 |
3.2 宽带LNA的常用设计结构 | 第26-32页 |
3.2.1 电阻负反馈宽带LNA | 第26-28页 |
3.2.2 滤波器匹配宽带LNA | 第28-29页 |
3.2.3 栅极电感峰化宽带LNA | 第29-31页 |
3.2.4 共栅结构宽带LNA | 第31-32页 |
3.3 共栅结构宽带低噪声放大器的噪声优化技术 | 第32-37页 |
3.3.1 噪声抵消技术 | 第32-34页 |
3.3.2 电容交叉耦合技术 | 第34-35页 |
3.3.3 跨导增强技术 | 第35-37页 |
3.4 抗阻塞宽带低噪声放大器的电路设计 | 第37-45页 |
3.4.1 偏置电路的设计分析 | 第39-40页 |
3.4.2 输入功率匹配和噪声系数设计分析 | 第40-42页 |
3.4.4 线性度分析 | 第42-43页 |
3.4.5 输出阻抗分析 | 第43-45页 |
3.5 宽带低噪声放大器的前仿真结果分析 | 第45-47页 |
3.6 小结 | 第47-48页 |
第4章 抗阻塞结构电路的设计与仿真分析 | 第48-60页 |
4.1 引言 | 第48-49页 |
4.2 抗阻塞接收机的研究现状与常用结构 | 第49-53页 |
4.2.1 平移滤波结构 | 第50-51页 |
4.2.2 Brute-force先混频抗阻塞结构 | 第51-52页 |
4.2.3 电流模式LNA加基带滤波结构 | 第52-53页 |
4.2.4 Gm-TIA阻抗转移结构 | 第53页 |
4.3 抗阻塞宽带低噪声放大器的设计 | 第53-59页 |
4.4 小结 | 第59-60页 |
第5章 抗阻塞宽带低噪声放大器的版图设计与后仿真 | 第60-76页 |
5.1 版图设计 | 第60-64页 |
5.1.1 天线效应 | 第61页 |
5.1.2 静电保护 | 第61-62页 |
5.1.3 寄生效应 | 第62页 |
5.1.4 器件匹配 | 第62-63页 |
5.1.5 闩锁效应 | 第63-64页 |
5.2 抗阻塞宽带低噪声放大器的仿真结果及分析 | 第64-71页 |
5.2.1 S参数的仿真结果 | 第65-67页 |
5.2.2 噪声系数的后仿结果 | 第67-68页 |
5.2.3 线性度ⅡP3的后仿结果 | 第68页 |
5.2.4 抗阻塞性能后仿结果 | 第68-69页 |
5.2.5 各工艺角及各温度条件下的后仿真结果 | 第69-71页 |
5.3 抗阻塞宽带放大器的芯片测试方案 | 第71-75页 |
5.3.1 键合测试PCB板设计要点 | 第71-72页 |
5.3.2 芯片键合测试方案 | 第72-75页 |
5.4 小结 | 第75-76页 |
第6章 总结和展望 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-82页 |
致谢 | 第82-84页 |
硕士期间发表的论文 | 第84页 |