单晶硅电池中载流子复合的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.2 晶体硅太阳电池简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 PN结的形成 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光生伏特效应 | 第11-12页 |
| 1.2.3 单晶硅太阳能电池 | 第12页 |
| 1.2.4 多晶硅太阳能电池 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 2 硅太阳电池中的载流子特性 | 第14-29页 |
| 2.1 硅半导体中的过剩载流子 | 第14页 |
| 2.2 硅半导体载流子寿命 | 第14-19页 |
| 2.2.1 复合寿命 | 第15-17页 |
| 2.2.2 SRH复合寿命 | 第17-19页 |
| 2.3 过剩载流子的连续性方程 | 第19-21页 |
| 2.4 少数载流子寿命测试方法 | 第21-28页 |
| 2.4.1 准稳态光电导技术 | 第21-24页 |
| 2.4.2 微波光电导衰减技术 | 第24-25页 |
| 2.4.3 表面光电压技术 | 第25页 |
| 2.4.4 有效寿命 | 第25-27页 |
| 2.4.5 发射结饱和电流的测量 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 体寿命与表面复合速率的分离 | 第29-45页 |
| 3.1 光谱产生率 | 第29-32页 |
| 3.2 连续性方程的数值算法 | 第32-33页 |
| 3.3 Crank-Nicholson差分格式 | 第33-35页 |
| 3.4 P型单晶硅体寿命与表面复合速率的分离 | 第35-42页 |
| 3.5 N型单晶硅有效寿命的测量 | 第42-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 铝背场制备与钝化 | 第45-56页 |
| 4.1 晶体硅太阳电池表面钝化 | 第45-48页 |
| 4.1.1 晶体硅表面钝化 | 第45页 |
| 4.1.2 N型晶体硅钝化 | 第45-47页 |
| 4.1.3 P型晶体硅钝化 | 第47-48页 |
| 4.2 丝网印刷技术原理 | 第48-49页 |
| 4.3 不同退火温度对Al-p~+的影响 | 第49-55页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第49页 |
| 4.3.2 前表面金字塔样品不同退火温度的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 前表面抛光钝化样品不同退火温度的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.4 双面印刷铝浆样品不同退火温度的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录A 连续性方程解析解推导 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
